简介：介绍了纳米电子学的基本概念及其＂自上而下＂和＂自下而上＂的发展路线,分析概括了纳米电子器件的基本物理原理及其应用,基于纳电子器件的实际应用价值,阐述了研究纳电子学的现实意义,总结了纳米电子学目前存在的问题及今后的发展趋势。

简介：主要叙述纳米技术、纳米材料、量子器件及其应用。

简介：研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响，探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明，几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数，对种子的发芽产生了明显影响，在生产中可进一步试验推广应用。

简介：美国宾夕法尼亚大学研究人员开发出了一种新纳米器件，这种纳米器件能存储10万年的电脑数据，且检索数据的速度比现有的像闪存和微型硬盘之类的便携式存储设备快1000倍，同时比目前的内存技术更省电、存储空间更小。它在一个很小的内存器件中存储数百部高分辨电影，且不用等待数据缓冲就可以下载并播放它们，

简介：摘要：量子点发光材料（QDs）因其光色可调、发光峰窄、色纯度高等独特的发光性质而受到了广泛的关注。特别地，QDs具有可溶液加工性，采用溶液加工的方式制备的量子点发光二极管（QLEDs）表现出了长寿命、高亮度、轻薄、柔性可弯曲等优异的发光性能。采用溶液加工工艺制备QLEDs阴极，满足QLEDs制备工艺的适配性，实现低成本、大面积制造的重要方法。基于此，本文主要分析可溶液加工纳米光电材料与器件。

简介：摘 要： 本论文旨在探讨纳米半导体材料和器件的研发制造工艺技术。首先介绍了纳米材料和半导体器件的基本概念和特点，然后重点探讨了纳米半导体材料的制备方法和工艺技术，包括物理和化学合成方法。接下来，重点讨论了纳米半导体器件的制造工艺技术，包括纳米器件的设计、制备和性能测试。最后，对纳米半导体材料与器件研发制造工艺技术的应用前景进行了展望。

简介：纳米尺寸电子系统的研究与单电子库仑阻挡（COULOMBBLOCKADE）结构，单电子三极管，分子开关的实现和应用有着十分密切的关系．近年来关于纳米系统电流传输性质的研究引起了越来越多的关注．曾经普遍应用的LANDAU-DFT方法计算出的电流与实验结果相差几个量级，

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：摘要：近年来，我国的纳米材料有了很大进展，纳米材料属于介观范畴，拥有不同于常规宏观或微观材料的特殊性能，在土木工程领域具备优异的改性能力。本文首先分析纳米材料，其次探讨纳米半导体材料与器件研发制造工艺，最后就纳米材料的发展前景进行研究，以供参考。

简介：摘要：半导体纳米材料是指具有纳米级尺寸的半导体材料，其具有较大的比表面积、量子效应和尺寸限制效应等特性，因此在光电、电子、能源等领域具有广泛的应用前景。本文将介绍半导体纳米材料的制备方法及其在器件中的应用，为相关研究提供一定的参考和指导。

简介：摘要：半导体纳米材料是指具有纳米级尺寸的半导体材料，其具有较大的比表面积、量子效应和尺寸限制效应等特性，因此在光电、电子、能源等领域具有广泛的应用前景。本文将介绍半导体纳米材料的制备方法及其在器件中的应用，为相关研究提供一定的参考和指导。

简介：首先对未来系统光子器件的关键问题进行了综述。并且对半导体纳米结构，特别是基于量子点材料的超快开关器件取得的最新进展进行了讨论。其中包括基于量子点的半导体光放大器，其在超过40Gb／s的速率下展现出偏振不敏感特性；新型基于量子点的垂直腔结构的光开关，其展现出超快、节能、全光开关的特性。概括和讨论了未来基于纳米结构的光子器件的应用。

简介：中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林领导的研究小组首次研发出一系列基于压电纳米材料的大功率纳米发电机（Nanogenerator）,输出电压达2-3伏,并将其首次成功应用于驱动常规电子器件。这一系列最新进展的3篇论文分别发表在7月和10月出版的美国《纳米快报》和英国的《自然—通讯》上。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：摘要：本文深入探讨了高分子纳米材料在先进电子器件中的性能与应用。通过分析其基本性质，如纳米尺寸效应，以及优越性能，包括电导性能、光学性能和力学性能，揭示了这类材料在电子器件中的独特潜力。具体而言，高分子纳米材料在柔性电子器件、传感器、光电子器件和纳米电子器件等领域展现了广泛的应用前景。然而，文章也指出了目前面临的挑战，如制备工艺、稳定性和可持续性等问题。展望未来，通过解决这些挑战，高分子纳米材料将为电子器件的创新和发展提供更为有力的支持。总体而言，本文为高分子纳米材料在电子器件领域的研究提供了全面而深入的分析，为未来相关研究和应用提供了有益的参考。

简介：纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.

简介：DC-DC隔离模块电源；模拟信号隔离放大器；

简介：TN2532003021143光纤电压传感器最新进展=Recentadvancesinfiber-opticvoltagesensors[刊,中]/唐丽杰（北方交通大学光波技术研究所.北京（100044））,吴重庆…//半导体光电.—2002,23（4）.—228-232综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器。介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进展,包括以DSP为信号处理芯片的BGO晶体的光纤电压传感器,以及应用光纤传感器机理来测试脉冲电压和电场的方法,并对光纤电压互感器暂态信号处理的原理进行了研究,试验证明可以满足继电保护的要求。图10参

简介：TN2532002042765光纤喇曼放大技术及其应用=FiberRamanamplifiertechnologyanditsapplication[刊,中]/赵玲(信息产业部电子第34所.广西,桂林(541004))∥光通信技术.—2001,25(4).—311-313概述了光纤喇曼放大器的发展情况、分布式喇曼放大器的原理和特性,阐述了掺铒光纤放大器与喇曼放大

简介：答：无源器件如：电阻电容，电感等，它们接入电路无需配置电源供电，即可以进行信号的传输变换及其他功能。而有源器件，如晶体管、集成电路(IC)等需配置相应的电源供电，方可正常有效的工作。如：三极管的基极与集电极电源，IC电路的电源供电等。没有电源供电，仅是一个孤立的晶体管或集成电路是根本不能工作的。