简介：摘要：在科技时代下，电子技术得以被应用于各个领域，尤其是集成电路的应用范围更是不断扩大，集成电路能否可靠的运行，对电子产品的功能发挥有着至关重要的影响，而为了保证集成电路的运行可靠性，就必须要开展必要的电子元器件失效分析。由此，本文着眼于以往生产过程中常见的电子元器件失效故障原因类型进行阐述，思考造成故障的原因，同时提出相应的优化举措，希望能够在一定程度上推动未来我国生产环节电子元器件的有效应用，避免电子元器件失效对实际的生产造成损失。

简介：DGS（DefectedGroundStructure)结构是在金属地平面上蚀刻周期性或非周期性的各种栅格形状而形成的非理想地平面结构，它是光子带间隙结构(PBG)的一种发展形式，其效应可用LC谐振等效电路来表示。DGS结构可被广泛应用于谐振器、振荡器、滤波器、耦合器、分配／合成网络、天线、功率放大器等中，以实现常规技术无法得到的高性能。这种结构的等效电路是并联的电感和电容。

简介：

简介：由於面形阵列封装越来越重要，尤其是在汽车、电讯和计算机应用等领域，因此生产率成为讨论的焦点。管脚间距小於0．4mm、既是0．5mm．细间距QFP和TSOP封装的主要问题是生产率低.然而，由於面形阵列封装的脚距不是很小(例如，倒装晶片小於200μm)，回流焊之后，dmp速率至少比传统的细间距技术好10倍，进一步，与同样间距的QFP和TSOP封装相比，考虑回流焊时的自动对位,其贴装精度要求要低的多。

简介：有机电致发光显示器件（OLED）由于具备自发光、不需背光源、对比度高、视角广等优异特性，被公认为下一代显示的主流技术，其中双面OLED显示能够实现从显示面板的正反两面同时观看显示的画面，在越来越多的场合得到应用。为了研究双面OLED器件的发展现状，本文对该领域的全球专利申请数据和中国专利申请数据进行统计分析，得到了全球申请量、国内申请量的变化趋势以及主要申请人的分布，并对近期的研究热点进行了总结归纳，以期对国内双面OLED器件的研究提供参考及借鉴。

简介：分析、评述了IGBT器件特性,介绍了该器件的各种驱动电路,并设计改进了一种较高效、安全的驱动电路。

简介：

简介：摘要：电子产品中，电子元器件的应用十分广泛，电子元部件的应用直接决定了电子产品的使用寿命。电子元器件应用过程中，故障发生率较高，对其原有功能产生严重不良影响。由于电子产品在生产生活领域应用重要性较高，其属于日常生活中不可或缺的重要工具，所以这就需要分析电子元器件效用丧失的原因，并分析其老化的机理，并通过电子元器件环境应力试验方式对其进行研究，以更好的对失效的元器件进行剔除，本文就电子元器件的失效机理开展论述分析。

简介：摘 要 :本文对电子元器件的失效分析技术进行了研究并加以总结。对电子元器件的失效原因、失效机理等故障现象进行了分析。电子元器件的质量与可靠性保证体系一个重要组成部分是失效分析，对电子元器件进行失效分析，才能及时了解电子元器件的问题所在，才能为设备及系统的正常工作带来可靠保障。

简介：2004年亚太区半导体业将增长27．4％，市场总值将由2003年的713亿美元，全球半导体材料设备开支2004年将达到448亿美元，比2003年增长51％。

简介：TQ5942005053594电子俘获光存储材料的最新研究进展=Thelatestdevel-opmentofelectrontrappingmaterials[刊,中]／王欣姿(北京交通大学光电子技术研究所．北京(100044)),王永生…∥光电子技术与信息．-2005,18(2)．-6-10分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。图2参20(严寒)

简介：摘要电子元器件属于电子产品中十分重要的组成部分，能够为产品功能的实现提供支持，在电子行业中，对电子元器件的质量关注度较高。但是在应用过程中，经常会由于受到某种因素影响，使得元器件发生不同程度的故障。

简介：从焊点的可靠度来讲，空洞现象会给焊点抗疲劳性带来不可估计的风险，比较严重的话，还影响焊点的电气连接与电路导通，所以空洞现象必须引起SMT业界人士的高度重视，了解引起空洞的原因。

简介：O438．12005053582二元计算全息图两种制作算法的研究=Studyontwokindsofbinarycomputergeneratedhologramproductionalgorithms[刊,中]／盛兆玄(第二炮兵工程学院物理教研室．陕西,西安(710025)),王红霞…∥光电子技术与信息．-2005,18(1)．-54-56提出基于MATLAB实现计算全息图制作的两种方法,并作了分析比较。对陈家祯等人提出的方法做了两点改进。用这两种方法制出的计算全息图在PC机显示器上进行模拟再现,取得了良好的效果。实验表明两种方法各有优点,用MATLAB绘制计算全息图比传统语言的编程算法更加简单方便。图4参5(杨妹清)

简介：传统的CMOS电路技术已经接近极限，需要使用分子器件来缩小器件尺度。本文在高于器件层次之上探讨了分子电路的结构和器件装配方法及分子电路的特性。

简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：目前，欧洲产半导体分立器件型号命名主要由四个基本部分组成，其中第一部分用字母表示器件使用的材料；第二部分用字母表示器件的类型及主要特性；第三部分用数字或字母加数字表示登记号；第四部分用字母对同一型号器件进行分档，详见表1。除上述基本部分外，在后面有时还用字母或数字作为后缀，

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：本文从有关环境工程、绿色工程的概念出发,介绍了"绿色"电子元器件生产的发展历程,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.

简介：介绍了军用元器件采购管理的要求,重点讨论了进口元器件和国产元器件采购管理的原则和控制措施。供装备承制单位质量管理工作者和军事代表参考。