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  • 简介:纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性,在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发,本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类,重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力,指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

  • 标签: 碳纳米管 石墨烯 柔性电子
  • 简介:如果说20世纪是微米(micro)世界,那么在21世纪继承了micro、继续辉煌的就一定是纳米(Nano)。

  • 标签: 世界 纳米 20世纪 21世纪
  • 简介:功率半导体器件(亦称电力电子器件)、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的"新一代信息产业"的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

  • 标签: 功率半导体器件 基础 半导体集成电路 电力电子器件 信息产业 新兴产业
  • 简介:纳米科技是一种先进的科学技术.许多新发明都运用了纳米技术。例如,纳米保温杯、纳米收音机、纳米面霜、纳米服装、纳米机器人……那么.纳米到底是什么呢?

  • 标签: 纳米技术 纳米机器人 科学技术 纳米科技 收音机
  • 简介:伦敦大学玛丽皇后学院MarkBaxendale博士及其合作者用一种新方法合成碳纳米管时,在反应器表面偶然发现了一些具有磁学性质的纳米粒子。这些纳米颗粒外表带刺,包含有等长的含铁的纳米管,从中心向外发散,被称为海胆纳米粒子。

  • 标签: 纳米粒子 碳纳米管 海胆 组成 MARK 伦敦大学
  • 简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

  • 标签: SIC MOSFET SIC JFET SIC BJT
  • 简介:纳米材料与纳米技术为新材料开发拓展了一条全新的途径,其发展遍及各个领域。防化是国家和军队安全战略与反恐的重要保障之一。文章概括介绍了纳米技术在生化武器方面潜在的威胁,以及在侦检、防护、洗消、烟幕等方面的应用及发展,提供了纳米技术在防化领域的发展信息,展示其应用前景。

  • 标签: 纳米技术 防化 生化武器 发展信息 应用前景
  • 简介:纳米黑索今(nano—RDX)具有燃速较高、撞击感度较低等优点,在高燃速、低特征信号推进剂中有广泛的应用前景。文章综述了国内外纳米黑索今制备、性能及应用研究进展,发现惰性气体热升华和湿润研磨工艺在制备纳米黑索今方面具有独特的优势。

  • 标签: 物理化学 纳米RDX 制备 综述
  • 简介:作为一种新型的集成封装技术,低温共烧陶瓷(LTCC)技术以其优良的高频和高速传输特性,小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术,其产品在封装和小型化方面具有明显优势;LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势,以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

  • 标签: LTCC技术 无源器件 设计 应用
  • 简介:由于PDs0I工艺平台的特殊性,P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的,需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂,这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真,发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型,形成高压NMOS器件,这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构,可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺,在工艺上容易实现。通过工艺流片验证,器件特性良好。

  • 标签: SOI 高压NMOS 工艺
  • 简介:简要介绍了真空电子器件辐射原理和数值模拟方法,给出了粒子模拟方法的研究进展.讨论了真空电子太赫兹源器件的特点及其对数值模拟方法的要求.给出了高功率微波源和太赫兹源器件的数值模拟算例.提出了用于真空电子源器件模拟的PIC方法的未来技术发展,包括动量能量守恒的粒子模拟方法、精确的几何和物理建模、阴极发射模型、有耗介质的处理和基于全局优化的器件设计方法等.

  • 标签: 真空电子器件 高功率微波 太赫兹波 PIC方法
  • 简介:蚂蚁九大盗在仙女星系里的星星岛之间飞行着。一群群的星星聚集在一起,便形成了星星岛;而星星岛之间的广阔地带,便是像大海一样浩瀚的黑暗虚空。

  • 标签: 世界 纳米 星星
  • 简介:利用材料在纳米尺度下所表现出来的量子效应和表面效应,可以用来制造具有神奇特性的物质,因此纳米科技在很多领域都有重要的应用。从表面上看,纳米科技与伦理学是两个风马牛不相及的范畴,但是恰恰源于纳米科技的特性——高度的学科交叉性、与应用紧密结合性,再加上许多新奇特性,使纳米科技与伦理学形成了密不可分的关系。因此,开展纳米科技伦理学研究,具有重要的理论和现实意义:不但有利于我们深人了解纳米科技在发展过程中面临的伦理学问题,在纳米科技产品大规模产业化之前,提出解决预案,避免影响纳米科技产业化进程的向前推动,同时,也可使公众了解纳米科技可能面临的伦理学问题,避免造成误解。本文将对纳米材料的新奇特性、纳米科技高度的学科交叉性以及与应用紧密结合性进行分析,并探讨纳米科技所涉及的安全性、动物伦理和人类伦理等问题。

  • 标签: 纳米科技产品 科技伦理学 产业化进程 表面效应 学科交叉 纳米材料
  • 简介:南京理工大学格莱特纳米科技研究所纳米金属材料团队带头人、中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室卢柯院士研究组在美国《Science》杂志上发表论文《在金属中发现超硬超高稳定性新型纳米层状结构》,为开发新一代高综合性能纳米金属材料开辟了新途径。

  • 标签: 纳米金属材料 中科院院士 层状结构 中国科学院金属研究所 开发 《SCIENCE》
  • 简介:分析了LLC谐振参数对变换器性能的影响,总结出LLC谐振参数的图解法,能快速得到谐振参数的最优值。通过对磁芯窗口磁势和绕组电流的傅里叶分析,可以得到绕组排布的最优设计和导线线径的最优选取,使得绕组损耗最小。

  • 标签: 磁性元件 绕组损耗 LLC谐振参数
  • 简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件

  • 标签: 碳化硅 肖特基二极管 结型场效应功率晶体管 开关特性
  • 简介:美国科学家在极高压下测量纳米材料的结构方面取得重大突破,首次解决了为金纳米晶体结构成像的高能X射线束严重扭曲问题,有望引导科学家们在高压下制造出新的纳米材料,也有助于人们更好地理解行星内部发生的一切。最新技术发表在4月9日出版的《自然·通讯》杂志上。

  • 标签: 纳米材料 成像技术 高压 纳米晶体结构 美国科学家 X射线束
  • 简介:采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响。在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大。

  • 标签: 溶胶-凝胶法 纳米氧化铝薄膜