简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:利用材料在纳米尺度下所表现出来的量子效应和表面效应,可以用来制造具有神奇特性的物质,因此纳米科技在很多领域都有重要的应用。从表面上看,纳米科技与伦理学是两个风马牛不相及的范畴,但是恰恰源于纳米科技的特性——高度的学科交叉性、与应用紧密结合性,再加上许多新奇特性,使纳米科技与伦理学形成了密不可分的关系。因此,开展纳米科技伦理学研究,具有重要的理论和现实意义:不但有利于我们深人了解纳米科技在发展过程中面临的伦理学问题,在纳米科技产品大规模产业化之前,提出解决预案,避免影响纳米科技产业化进程的向前推动,同时,也可使公众了解纳米科技可能面临的伦理学问题,避免造成误解。本文将对纳米材料的新奇特性、纳米科技高度的学科交叉性以及与应用紧密结合性进行分析,并探讨纳米科技所涉及的安全性、动物伦理和人类伦理等问题。
简介:从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiCSBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiCJFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。