简介：摘要本文主要从电子束的光刻系统、2ZEP520A正性的抗蚀剂基本工艺条件这两个方面入手，分析了电子束的光刻技术。同时，从ICP刻蚀装置基本架构及特征、运行原理、ICP刻蚀的参数影响这三个方面入手，分析了ICP的刻蚀技术。从而能够让广大专业的技术人员全面了解与掌握电子束的光刻技术、ICP的刻蚀技术，不断提高电子束的光刻与ICP的刻蚀技术专业水平，以为微电子的集成领域后期发展提供强大的技术支持及保障。

简介：摘要：微电子器件制造是现代科技发展的基石，随着技术的不断进步和需求的增长，对器件的精度和性能提出了更高的要求。然而，传统的制造方法在满足这些要求方面面临一系列挑战。激光刻蚀技术作为一种高精度、非接触的加工方法，具有潜在的优势，可以应用于微电子器件制造中。通过对激光刻蚀技术的概述、微电子器件制造的挑战、激光刻蚀技术的应用案例以及技术可行性的研究，可以为进一步推动微电子器件制造领域的发展提供理论和实践依据。

简介：摘要：微电子器件制造是现代科技发展的基石，随着技术的不断进步和需求的增长，对器件的精度和性能提出了更高的要求。然而，传统的制造方法在满足这些要求方面面临一系列挑战。激光刻蚀技术作为一种高精度、非接触的加工方法，具有潜在的优势，可以应用于微电子器件制造中。通过对激光刻蚀技术的概述、微电子器件制造的挑战、激光刻蚀技术的应用案例以及技术可行性的研究，可以为进一步推动微电子器件制造领域的发展提供理论和实践依据。

简介：在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法.本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较.用干法刻蚀方法做出了比较好的一级光栅,证明了干法刻蚀优于湿法刻蚀.

简介：摘要：本文研究的主要目的是在集成电路技术发展及纳米时代到来的背景下，强调刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究的重要性。通过设计刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究实验，并对实验的动机、概况、结果、结论几方面做出分析，以全面提升国家芯片技术制造质量，进而推动国家现代化发展，应对国外技术封锁。此次研究选用的是文献研究法，通过对相应文献的查找，为文章的分析提供一些理论基础。

简介：扫描光刻技术是目前实现大口径压缩光栅等位相元件制作的一种有效方案，该技术考虑到大尺寸加工的困难，采用先小尺寸加工，然后连续扫描扩大加工区域的方法，既能保证大尺寸加工和较高精度，又能降低设备制作成本和难度，具有明显的优越性。扫描光刻技术中需要发展超精密检测和超精密定位装置以保证移动光刻过程能够得到精密的控制，特别是10^-6级的相对精度的控制。图1显示了XY超精密平台的测量定位系统。

简介：

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：随着电子产业的技术进步和发展，光割技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴，CMOS光刻市场几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此，未来光刻。技术的发展也是多元化的，应用领域的不同会有所不同。

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.

简介：摘要刻蚀工艺是将未被抗蚀剂膜（通常为光刻胶）掩蔽的膜层刻蚀掉，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜完全相同图案的工艺。刻蚀工艺通过化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地刻蚀掉一定厚度的未被抗蚀剂掩蔽的目标薄膜，从而在目标膜层上得到与抗蚀剂膜层上完全一致的图形。本次实验依照控制变量法的原理，通过改变某一工艺参数，保持其余参数不变，来设置使用干法刻蚀工艺加工二氧化硅的对比实验，并根据实验测试结果分析此工艺参数对刻蚀速率、选择比以及刻蚀形貌等的影响。

简介：摘要：陡直度与很多因素有关，如介质的材料、光刻胶的种类以及工艺参数等。在本文中，实验环境固定在硅介质表面，采用罗门哈斯公司生产的 LC100A型光刻胶，在已有成熟工艺的基础上，实验采用分段显影方法、改善前烘条件以及加入 PEB烘干对提高陡直度的影响。对陡直度的评价采用显微镜定性观察，扫描电镜测量的方法。

简介：光刻机集光学机械、微电子、计算机、自动控制和精密测量等高新技术于一体,是集成电路制造的关键设备。为维持光刻机正常作业,以企业损失最小为优化目标,对于光刻机常见故障按照设备功能单元逐步缩小排查范围,提出合理的预防措施和故障修复方法。

简介：摘 要：调制盘等小尺寸非直边形状光学零件表面的图形光刻，由于难以切割成独立的单个零件，目前多采用单片镀膜和光刻的形式来进行表面图形的加工。为了提升生产效率，保证产品质量，针对各环节相关因素，进行大量试验，确定了最佳的工艺条件，改进了工艺方法。

简介：摘要：

简介：美国宇航局宣称，他们用刻蚀法在一片硅片上为韦伯氏太空望远镜制成了快门阵列。这一组快门由腔体和带有微型折页的移动门组成。微型快门上装有钴铁磁条。一个移动磁铁可打开所有小门，将磁条纳入腔体中。当小门打开时，工程人员可借助一套组合电动势控制快门的开或关。当磁铁移开时，快门就会关闭。

简介：摘要：本控制系统根据湿法刻蚀设备的工艺要求，以PLC为主控制器，工控机、ET200远程模块、阀岛、变频器等进行硬件系统的搭建，根据工艺流程基于博途V18进行软件编写，实现对硅片的刻蚀、清洗、碱洗、酸洗、烘干、传输等功能，经过设备在客户现场生产线上实际应用，控制系统运行正常，满足客户使用需求。

简介：摘 要：此前，公司钝化层使用的光刻胶 AZ6130为进口光刻胶，采购周期长且成本较高。为了缩短采购周期同时降低成本，特考虑使用国产光刻胶 RZJ-306B替代该层次的进口光刻胶。本文从颗粒、 Spin curve、留膜率、膜厚均匀性与稳定性、曝光工艺窗口、线宽（ CD） &光刻胶形貌、缺陷、抗干法刻蚀能力及去胶能力等九个方面评估了国产光刻胶 RZJ-306B的各项性能，实验结果表明其单项工艺能力与原进口光刻胶 AZ6130相比可满足现有产品生产要求。同时，进一步实验表明，国产光刻胶 RZJ-306B可替代进口光刻胶 AZ6130应用于实际生产。钝化层光刻胶国产化使得该层光刻胶采购周期缩短了一半，生产成本降低了约 50%。

简介：