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0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究

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摘要文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

DOI wjvk27o9d7/902974

作者王春栋;李幸和;顾爱军;赵金茹;刘国柱

机构地区不详

出处《电子与封装》 2010年8期

关键词多晶刻蚀倾斜角度最优化条件等离子

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2010年08月18日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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