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0.4～0.25μm时代光刻技术

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摘要 1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

DOI kwjvz3qkd7/51026

作者

机构地区不详

出处《电子与封装》 2002年5期

关键词光刻技术时代光刻

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2002年05月15日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电子与封装

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