简介:摘要:近年来,随着工业领域如微型机械制造、集成电路制造、生物医疗等众多领域的不断发展,与之相关的设备对精度的要求也越来越高。而被誉为半导体工业皇冠上明珠的光刻机,集合了高分子物理与化学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、图像识别等多项顶尖技术,是超精密加工技术的集大成机器。其中,运动台系统用于定位晶圆做精细运动,主要包括搬移、掩膜、对位、焦距校准等,是光刻机最为核心的分系统之一。在光刻过程中,要求扫描和定位精度要达到纳米级,则需要同时追求运动指标和精度指标。因此,本论文针对光刻机运动台系统,从复合控制、同步控制以及主动减振控制三个角度进行控制方法的研究,以提升光刻机的曝光质量和产率。
简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介: 摘要:我国的光刻机研究工作在缓慢前进,光刻机是超大规模集成电路芯片制造环节中的重要设备。我国拥有超强的工业和制造业基础和实力。并且有完善的供应链和产业链,这为我国光刻机的研发和制造提供了优势。许多外国品牌,高质量零件都是在我国生产制造后出口的。光刻机制造巨头阿斯麦尔也在我国各地设置了公司。许多优秀的人才和技术工人被外国公司优先挑选走,只因为对方愿意付出更多的试错成本,开出的工资更诱人。光刻机的制成,国人有很大的付出,但并不被西方承认。于是,我们必须肩负研制完全自主知识产权光刻机的使命。突破技术封锁与垄断。为国家节省上亿的资金,为老百姓能用上更实惠的芯片和电子产品而努力。光刻机不是神话,光刻机依旧是人类制造出来的,阿斯麦尔可以,中国也可以。
简介:为了探究原子光刻中基片与会聚激光场间距对沉积纳米光栅质量的影响,我们基于VirtualLabFusion(VLF)平台实现了基片定位控制方案中光学系统的建模和仿真.结果显示:基片在切割会聚激光时将产生直边衍射图像,其轮廓形状和最大值都会随着基片切割激光截面区域大小的变化而变化:虚拟光电探测器上所得到的反射光强度值将随着基片-会聚激光间距的变化给出了倒置的高斯线型,其最低点出现在基片中心和会聚激光场轴线重合时的位置上.当会聚激光场截面恰好被基片阻挡一半时,探测处的强度值降至45.5%.这种光强随基片位置的变化情况为精确地定位基片位置提供了理论支撑.