简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：摘要：以处理电压互感器运用中出现的问题为目的，应该深入了解半绝缘、全绝缘电压互感器具体的应用原理，所以，需要结合当前运用的情况，详细分析具体的运用方法与措施，可以测出智能电网电场数值，增强实际的应用效果。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：摘要导体屏蔽层和绝缘屏蔽层统称为半导电屏蔽层，分布在绝缘层内外两侧，能够缓和电缆内部的电场应力集中，均匀绝缘层表面电场应力分布，改善电缆内部电场的径向分布以提高电缆的电气强度，延长电缆的使用寿命。从改善电缆长期运行能力的电气性能及安全性能考虑，现代电缆结构和工艺中要求导体屏蔽层应是粘接型的，而绝缘屏蔽层则必须具备一定的可剥离性，并采用挤包工艺。

简介：Athree-dimensionalmodelofGaAs/A1GaAsquantumdoubleringsinthelateralstaticelectricfieldisinvestigatedtheoretically.Theeigenvalueproblemwiththeeffective-massapproximationissolvedbymeansofthefinite-elementmethod.Theenergylevelsandwavefunctionsofquantum-confinedelectronsandheavyholesareobtainedandshowanagreementwithourprevioustheoreticalandexperimentalstudies.ItisshownintheapproximationofneglectingtheCoulombattractionbetweentheelectronandheavyholethatarelativelylargeStarkshiftofexcitonemissionof4meVisattainablewithanappliedelectricfieldof0.7kV/cm.

简介：摘要：电力行业是我国社会体系重要组成部分，也是推动我国社会发展的主要原动力之一，很多电力生产设备及其应用都直接关系到我国电力生产及发展，所以各种电力仪器、设备及技术的应用一直备受人们重视及关注。压柜半绝缘电压互感器是近年来应用频率较高的一种电压互感仪器，具有很强的低压互感功能及控制工作，已经在各电力生产环节、电压管控环节得到了应用，并取得了良好的应用效果，减少了因为电压控制问题导致的各种电力生产事故发生率，提高了电力生产质量及效率，促进电力行业发展。所以深入研究中压柜半绝缘电压互感器试验是非常重要和必要的。

简介：ThereolutioncharacteristicofGaAs/GaAlAstrransmissionphotocathodeisanimportantparameterinthirdgenerationintensifiers.ThemodulationtransferfunctionofGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisderivedfromasimpletwo-dimensionaldiffusionequation.Thetheoreticalresolutioncharacteristicofa2μmthickGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeiscalculated.TherelationshipbetweenresolutionandparametersinGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisdiscussed.AconclusionisshownthatonecandesigntheGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeformaximumquantumefficiency,sincethesacrificeintheresolutiondoesn'tlimitsystemperformances.

简介：摘要本文针对半绝缘开关柜技术缺陷进行仿真分析，找出半绝缘开关柜产生污闪的原因，并开发一种性能良好的硅橡胶套管应用于半绝缘开关柜，为运行中半绝缘开关柜提供一种检修策略，杜绝污闪的产生，降低半绝缘开关柜的故障率，延长使用寿命，提高配电网的供电可靠性。

简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

简介：

简介：

简介：InGaAsP/GaAsSCHSQWlaershavebeenpreparedbyLPMOCVD.Thedependenceofthresholdcurrentdensityoncavitylengthwasexplained.Laserdiodesarecharacterizedbytheoutputpowerof1W20W,thresholdcurrentdensity(Jth)of330A/cm^2to450A/cm^2andexternaldifferentialquantumefficiency(ηd)of35%to75%,andthesecharacteristicsareingoodagreementwiththedesignedrequirement.

简介：金先县群艺馆人不多，更无什么实权，但馆长换了一个又一个，就是没王美凤的份，这也不大对头吧。特别是半年前，好像有机会了，老馆长退下去了，王美凤是唯一的副馆长。可是文化局又把文化市场管理办公室主任容容平调过来作了馆长。这个再过两年就要退二线的老妇人再次阻挡了王美凤的前进道路。

简介：夏，是我最欢畅的时节了。若说春的报信者是迎春花，那么对于我，夏的信使便是我家楼下那棵比我大很多的枇杷。

简介：WhenweuseMOCVDtechnique,anexcellentCdTeepi-layerwasgrownonGaAssubstratesandtheCdTe/GaAshybridsubstratessuitableforgrowingHg1-xCdxTe（CMT）wereobtained.ThexvalueinCMTisbetween0.2and0.8.TheelectricalpropertiesofCMTdependuponthethicknessofCdTeepi-layers.TheCdTe/GaAsinterfacewasexaminedbybothscanningelectronmicroscope（SEM）andelectronaugerspectra（EAS）.TheinfluenceofdefectsobservedatinterfaceonelectricalandopticalpropertiesofCMTfihnswasdis-cussed.

简介：Weinvestigatethenonlinearresponseofterahertz(THz)metamaterialperfectabsorbersconsistingofelectricsplitringresonatorsonGaAsintegratedwithapolyimidespacerandgoldgroundplane.Theseperfectabsorbersonbulksemi-insulatingGaAsarecharacterizedusinghigh-fieldTHztime-domainspectroscopy.Theresonancefrequencyredshifts20GHzandtheabsorbanceisreducedby30%astheincidentpeakfieldisincreasedfrom30to300kV/cm.ThenonlinearresponsearisesfromTHzfielddriveninterbandtransitionsandintervalleyscatteringintheGaAs.ToeliminatetheFresnellossesfromtheGaAssubstrate,wedesignandfabricateaflexiblemetamaterialsaturableperfectabsorber.Theabilitytocreatenonlinearabsorbersenablesappealingapplicationssuchasopticallimitingandself-focusing.

简介：据参加微波技术与工艺研讨会（MTT-S）的一个专家讨论小组，RFCMOS可能还未迎来黄金时段，至少是在手机功率放大器领域，而砷化镓（GaAs）将继续在该领域处于主导地位。诺基亚的RF工程与技术经理FazalAli估计．2004年手机出货量约为6．645亿部，每部电话中有两或三个放大器，总计接近20亿个。他问这些功率放大器（PA）中有多少是CMOS，显然暗示答案是“不太多”。

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：<正>现场工作标准在对财务报表形成意见之前,审计人员必须能确认它们的恰当性。现场工作标准为审计人员提供了判断财务报表质量的依据。以下分别简述这三条现场工作标准并进行全面的讨论。

简介：Zinchasbeendiffusedinton-typeInxGa1-xAs,InPandGaAsinclosedam-poules,andtheexperimentaldataforInxGa1-xAsrarelyreportedpreviouslyhavebeenob-tained,TheoreticallythelinearrelationsipbetweenlogarithmicdiffusioncoefficientlnDandthecompositionxhasbeendemonstrated,whichisingoodagreementwiththeexperimentalresults.ThecalculateddiffusionjunctiondepthforInGaAsbasedonthediffusionmodelinwhichD^∝c^2isassumedalsoagreeswellwiththatoftheexperment,Finallytheoveralldiffusiontimeinamultiayerheterostructurewasapproximatedast=(∑√-ti）^2.