简介：对用平均值代替瞬时值就可以用动力学的方法测定气垫导轨上的阻尼常数进行了理论分析，并指出该方法所得到的测量表达式与运动学测量方法表达式是等价的。

简介：本文探讨了空气粘滞阻力诸因素对气轨上简谐振子运动规律的影响，澄清了一些模糊认识，提出了减小影响的最直接有效的方法。

简介：在气轨实验中，采用Z80单板机设计单板数字毫秒仪，精确测量在线时间。

简介：随着机械装置向结构复杂化发展，常需要对复杂装置的层间挤压应力等接触应力进行研究，这需要利用薄型挤压应力传感器来进行接触测量。进行层间接触测量的传感器不但应具备良好的应力敏感特性，而且应具有优良的柔韧力学性能，选用高导电纳米炭黑、球形石墨为导电粒子，硅橡胶、天然橡胶为基材开展了颗粒填充型导电高分子复合材料的配方工艺优化研究、薄膜制备及均匀性控制方法研究及感压复合材料薄膜的压力一电阻关系研究。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：强力旋压是机械加工中的常用方法，它依靠旋轮从工件的表面给材料施加巨大的成型力，使材料整体发生强烈塑性变形而形成所需要的最终形状，在旋轮-工件接触区域，由于旋轮的被动自转，还存在着复杂的多方向的摩擦力，这对工件表面和表层组织形貌有着重要的影响。

简介：针对某曲面薄壁异形件的旋压加工，采用强旋、普旋方法，从旋压件贴模、壁厚、旋压道次、裂纹等方面做了对比试验，探索旋压成形的规律。

简介：介绍了使用2.45GHZ微波源激励产生常压等离子体射流（MPJ）的装置，该装置结构简单，使用可靠，实验内容丰富，适合教学要求。

简介：常压介质阻挡放电由于其具有均匀、散漫、稳定,而且不需要真空系统等优点,正日益受到人们的重视和研究。文章给出了常压介质阻挡放电的研究进展,包括实验装置、实验条件、放电机理以及最新的诊断方法,还介绍它在材料表面改性、环境工程、食品加工等方面的应用前景。

简介：为了将模拟结果应用于评价动态内压载荷壳体的激光辐照效应,采用理论分析方法研究了模拟中的相似性问题,给出了飞行动态环境的模拟相似性原则、激光参数的模拟相似性原则和试件大小的模拟相似性原则.对飞行环境效应的模拟,要考虑壳壁气动加热和氧化效应;对光斑半径的模拟,若满足／πkt＜r0≤0.5R条件,则壳壁最高温度近似与光斑半径无关,并且对爆裂破坏模式,光斑半径还要满足热裂纹失稳扩展条件;对壳体试件的模拟,采用近几何相似缩比(大小缩比而壁厚不变),缩比率在1/5～1时可以用非线性拟合表征损伤关系.

简介：目的：探究错距旋压仿真模型关键特性参数影响，改进建模方法，克服现有模型方案的缺陷，构建更准确、可靠和稳定的错距旋压有限元仿真模型。创新点：1．提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法；2．基于所构建的改进模型，完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1．通过能量、网格独立性和过程参数分析，验证改进有限元模型的可行性和可靠性：2．通过对比仿真和数据分析，获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响；3．通过仿真模拟，完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论：1．速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率；2．时间截断不能确保扶取稳态结果，不利于计算的准确性和稳定性；3．截断误差对错距旋压成型结果影响显著，计算过程中应采用双精度模式；4．错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性，应在实验设计阶段予以排除：5．针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状，基于改进模型，完善错距影响结论（表11）。

简介：TN1522003032121电子倍增级联系统中的噪声因子和增益起伏因子=Noisefactorandgainvariationfactorinaphotoelectronmultipliedcascadedsystem[刊,中]/沈锋(中科院光电技术研究所.四川,成都(610209))∥量子电子学报.—2002,19(5).—471-475提出了一个增益起伏因子,用来描述电子倍增器件增益特性的变化,并根据对电子倍增级联放大过程的分析,提出了更一般的倍增过程的统计假设,从而得到了电子倍增级联系统的噪声因子和增益起伏因子的表达式,

简介：TN14497010517X射线象增强器及其应用=X-rayimageintensifieranditsapplications[刊,中]/杨晓文(厦门大学新技术所.福建,厦门(361005)),余永正(上海华科电子显象公司.上海(201800))∥物理.—1996,25(3).—171—177

简介：TN1442004032175透明导电膜在X光像增强器中的应用=ApplicationoftransparentconductingcoatingtoX-rayimageintensifier[刊,中]/程耀进(西安应用光学研究所.陕西,西安(710065))∥应用光学.—2003,24(3).—35-37

简介：TM56496031945超高速全光开关=Superhighspeedall-opticalswitches[会,中]/曹立红,项允楠,余国贤(北京邮电大学应用科技系.北京)//第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国光孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏.连云港,95.9全光开关的本质就是由光致折射率变化来造成传输模的本征值的变化,并产生相应的相移,从而实现光调制光。光致折射率就是利用材料的非线性特

简介：介绍PID控制器的计算机仿真实验教学法。首先在Matlab中应用Simulink模块构建一个基于PID控制器的自动控制系统。然后通过仿真运行系统,对系统的动态响应曲线进行观察和比较,分析了PID控制器中比例、微分和积分各环节所起的作用。通过实验观察和分析,使学生对PID控制器各环节的作用有了直观明确的认识,取得了良好的教学效果。

简介：TM56497063896负非线性夹层式光开关原理=Principkofnegativenonlinearintercalationphotoswitch[刊,中]/高艳霞,贺渝龙,是度芳(华中理工大学物理系.湖北,武汉(430074))∥光学学报.—1997,17(2).—249—252

简介：TM56496042644光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响=IntersectangleandnumericalapertureofTIRopticalswitch[刊,中]/康寿万(北方交通大学),董玉和(包头钢铁学院),庄婉如(中科院半导体所)∥半

简介：运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测,分清了各道工序污染对制管的影响。通过对制管工艺进行改进,使制管成品率提高了50%。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。