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《现代应用物理》
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2017年4期
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基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法
基于热像素的CCD电荷转移效率在轨测试方法
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摘要
提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明:CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.
DOI
ldeqo889d3/1806141
作者
冯婕;文林;李豫东;郭旗
机构地区
不详
出处
《现代应用物理》
2017年4期
关键词
CCD
电荷转移效率
在轨测试
热像素
实时测量
分类
[理学][物理]
出版日期
2017年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
现代应用物理
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