简介：All-opticalwavelengthconvertersareexpectedtobecomekeycomponentsinthefuturebroadbandnetworks.Hereatwo-segmentDFBlaserforthefirsttimeisusedasanall-opticalwavelengthconverter.Usingthislaser,all-opticalwavelengthconversionfrom1.3μmtp1.55μmisdemonstrated。

简介：1前言近年来,超LSI开发进展十分惊人.虽然代表0.5μm时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预测要迟些,但其批量生产逐渐达到稳定化.同时,下一代器件--64MDRAM和256MDRAM的研究开发依然如预测的进度进行着,现状是:丝毫未感到开发进度在放缓.

简介：SolderPlus系列锡膏产品是电子和电子机械行业生产用锡膏的最理想选择，该系列无铅锡膏质量更稳定，成本更低，是焊锡丝的最佳替代品。使用SolderPlus锡膏，一个操作工、一台点胶机就可以完成生产线上快速、稳定的点焊，而且适用于任何焊接工艺，更易控制、更高效。所有的无铅锡膏产品都拥有多种助焊剂配方。免清洗锡膏，省去了昂贵的清洗流程。在残留助焊剂可以被清除时可采用RA助焊剂配方和水溶性锡膏。并在近期新推出了具抗塌陷性，

简介：随着雅马哈推出通用模式超高精度多功能贴片机YG88，雅马哈中速机已经完成了从YV系列到YG系列的过度，这也预示着整个行业对中速机的定位将达到了一个新的高度。YG系列用全新的面貌展示了雅马哈最新的科技，

简介：　　1前言　　1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM为代表的0.4μm器件过渡到以256MDRAM为代表的0.25μm器件.　　……

简介：Superluminescencediode(SLD)moduleswithwidespectrumcharacteristicsarerequiredinfibergyroscopes.A1.3μmbutterflypackagedsuperluminescencediodewiththespectrumwidthover30nmisreportedandrecentadvancesinprocessofSLDisdescribedinthepaper.TheSLDmoduleshavebeenappliedtofibergyroscopes.

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μmCMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75MeV·cm^2/mg。

简介：从亚微米进人到1/4μm时代,VLSI工艺中的平坦化技术与其它的微细加工技术一起被广泛采用.

简介：一年一度的全球消费电子盛典——2011国际消费电子产品展（简称CES）在拉斯维加斯再度揭开序幕。CES堪称消费电子业界的世界杯，在百万平方英尺展区内吸引了来自2700个展商和来自110个国家约14万参展人员。多元化科技创新领导者3M公司以多种前沿科技为参展者呈现了数字沟通的变革方向以及交互和移动式交流的更高境界，由此成为展会亮点之一，受到了与会人员和全球媒体的广泛关注。

简介：近期G&G（格之格）又推出813系列“无海绵墨盒”，并就此召开了盛大的新品发布会，是中国耗材厂商首次发布自主专利无海绵技术产品，使之格以最新航海式单项阀设计替代传统打印机生产商耗材的传统式单项阀体设计是一个重大的技术创新。海绵墨盒的问世，标志着墨盒的技术迈上了一个更高的台阶。

简介：2004年下半年以来，OKI公司旗下的7款高速数码彩色页式打印机．在中国计算机报、计算机世界报、电脑商情报等几大权威媒体的IT产业年度报告．中夺得了多项权威大奖。虽然OKI进入中国彩机市场不过两年．却能收获如此佳绩．不难看出老牌打印机巨头的雄厚实力。OKI系列彩机已经相继捧回了9项殊荣．其中既有对整机的卓越表现充分认可的“编辑推荐奖”、“年度明星产品奖”；

简介：术使用UV胶粘贴PCFILM然后通过特殊处理的压轮调整厚度贴附胶片再经过UVCURESYSTEM，适用于手机wIND0w制作工程。术触摸式操作界而容易操作并且PLC控制系统稳定性优越：术配备剩余量传感器装置平和去除残留压力的点胶阀是一大特点；术具备特殊表面处理的滚轮系统和高性能UV炉；术具备自动回流的移送投料配制。

简介：ACE选择性焊接系统采用可编程的“移动式锡波”完成焊接工序；

简介：

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：Asimpleandeffectivegreedyalgorithmforimageapproximationisproposed.Basedonthematchingpursuitapproach,itischaracterizedbyareducedcomputationalcomplexitybenefitingfromtwomajormodifications.First,ititerativelyfindsanapproximationbyselectingMatomsinsteadofoneatatime.Second,theinnerproductcomputationsareconfinedwithinonlyafractionofdictionaryatomsateachiteration.Themodificationsareimplementedveryefficientlyduetothespatialincoherenceofthedictionary.Experimentalresultsshowthatcomparedwithfullsearchmatchingpursuit,theproposedalgorithmachievesaspeed-upgainof14.4～36.7timeswhilemaintainingtheapproximationquality.

简介：Areviewontheprogressofpowerful2μmsilicafibersourcesinpastdecadesispresented.Wereviewthestate-of-the-artrecordsandrepresentativeachievementsof2μmhigh-average-powercontinuouswave,pulsedfiberlasersandamplifiers,andpowerfulsuperfluorescentsources.Challengeswhichlimitthefurtherpowerscalingof2μmsilicafibersourcesarediscussed,includingpumpingbrightnesslimitation,thermalproblem,andnonlineareffects.Potentialandpromisingroadmapstogobeyondtheselimitations,liketandempumpingandbeamcombining,arediscussed.Prospectsofpowerful2μmsilicafibersourcesarealsopresentedintheendofpaper.

简介：Self-organizedIn0.5Ga0.5As/GaAsquantumislandstructureemittingat1.35μmatroomtemperaturehasbeensuccessfullyfabricatedbymolecularbeamepitaxy(MBE)viacycled(InAs)1/(GaAs)1monolayerdepositionmethod.Photoluminescence(PL)measurementshowsthatverynarrowPLlinewidthof19.2meVat300Khasbeenreachedforthefirsttime,indicatingeffectivesuppressionofinhomogeneousbroadeningofopticalemissionfromtheIn0.5Ga0.5Asislandsstructure.Ourresultsprovideimportantinformationforoptimizingtheepitaxialstructuresof1.3μmwavelengthquantumdot(QD)devices.

简介：　　1前言　　关于LSI的高密度化,现以DRAM为例来说,则是从16M开始至64M出厂样品.对于逻辑电路来说,0.5μm级的产品化正在开始.　　……