简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：CMOS器件结构会引起闩锁效应,国内外目前有相关标准来检测集成电路的抗闩锁能力,但大部分集成电路的闩锁试验都是在电路静态工作下进行试验。该论文根据相关试验标准,结合典型集成电路动态工作情况,研究集成电路的动态闩锁能力。

简介：从击针和闩体的装配结构关系入手，在闩体击针室受力分析的基础上，进行了闩体有限元分析，得到了击针室两个不同部位受力时闩体击针孔处的应力和应变情况，从而提出解决闩体镜面击针孔产生凸出或裂纹问题的可行方案。

简介：通过前处理，在聚甲基丙烯酸甲酯微球表面形成活性中心，采用化学液相沉积法．在微球表面沉积镍合金层，制成了单分散PMMA／Ni复合粒子，采用XPS、XRD、SEM、比表面分析仪、微米激光粒度分布仪等多种分析测试方法对制得的复合粒子的结构及性能进行表征，结果表明：制备的复合粒子大小约10μm，呈单分散性，分散度在0．025左右，包覆层呈较好的球形，结构致密，形状规则，具有一点的柔软度，合金层大约在0．5μm，主要成分为含高磷的镍磷合金。

简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界电荷标准和软错误截面等单粒子软错误的基本计算公式。着重阐述了GEANT4(核物理层级)、TCAD(半导体器件层级)、SPICE(简单的电路层级)和复杂电路级/系统级的多层级结构化的单粒子软错误数值仿真技术。最后,结合后摩尔时代微电子技术的发展趋势,展望了单粒子软错误研究的未来发展。

简介：介绍了时序逻辑单元和组合逻辑单元发生单粒子效应的机理,以反熔丝型FPGA芯片ActelA54SX32A为实验对象,设计了3种典型的链电路系统。在中国原子能科学院HI-13串列静电加速器上采用Br离子对电路进行辐照实验,在频率为20MHz的条件下,3个链电路的翻转截面分别约为3.268×10-3cm2,7.449×10-4cm2和3.988×10-4cm2。实验结果验证了在0.22μm工艺条件下,时序逻辑单元比组合逻辑单元更加敏感,并且在包含两者的电路中,组合逻辑单元会屏蔽部分单粒子效应。最后,针对电路中不同逻辑单元,给出了两种加固方法。

简介：通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

简介：

简介：摘要：目的：探究分析单侧后牙正锁应用正畸矫治的临床效果进一步探讨，单侧后牙正锁的矫治方案。方法：将2019年4月至2020年6月作为研究时段录入该时段的我院中收入的确诊为单侧后牙正锁患者13名作为本次研究实验对象，所有患者在接受治疗时，由医务人员给予患者直丝弓矫治技术进行矫治，在治疗过程中，患者上颌采用前牙平面导板以及健侧后牙合垫患侧上下颌后牙需要进行相互牵引，在治疗前后由医务人员对所有患者的头颅定位侧位片进行拍摄，并对其进行X投影测量分析，确认患者的个体状况。结果：在本次研究结果中显示13名患者中，13名患者的后牙正锁得到有效的矫正患者的牙弓形态，恢复至正常患者的后牙咬合关系恢复良好，在进行患者的临床治疗时，患者未见不良反应症状。结论：在进行单侧后牙正锁的临床治疗时，将直丝弓矫治器配合适当的后牙交互牵引，能够有助于改善患者的牙弓形态，使患者的后牙正锁状况得到改善，具有良好的可应用价值，值得在临床上酌情进行使用。

简介：针对目前我国急需开展质子单粒子效应辐照实验的需求，研制了适用于质子束流注量率监测的次级电子发射监督器（secondary—electronemissionmonitor，SEEM）。测试结果表明，SEEM在监测注量率为109～1010cm-2·s-1的质子束流时，其电流与注量率间的线性相关性很好，可应用于质子单粒子效应实验束流诊断。同时，测量了不同质子能量下铝的次级电子发射系数，测量值与理论计算结果吻合较好。

简介：为了了解齐齐哈尔市大气细粒子PM2.5单颗粒的形貌、组成及粒度分布特征，选取齐齐哈尔市大学校园和商业市中心两个采样点，针对春季和秋季大气中PM2.5单颗粒，应用场发射扫描电镜（FESEM）和配带X射线能谱的扫描电镜（SEM—EDX）对其微观形貌和元素组成进行了研究。利用图像分析系统对其粒径分布进行统计。结果表明，此地区PM2.5颗粒分为4种类型，即烟尘集合体、飞灰、矿物颗粒和未知颗粒，分别来源于机动车尾气排放、煤炭等燃料燃烧及地壳扬尘。其中春季烟尘集合体数量最多，秋季由于燃煤以飞灰为主。来源于地壳扬尘的矿物颗粒以硅铝酸盐类和碳酸盐类矿物为主。此地区大气中PM2.5颗粒空气动力学直径约90％小于1．0μm，属大气细粒子。其中烟尘集合体平均粒径大于矿物颗粒，飞灰平均粒径最小。

简介：近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度。综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料（如钨）核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作。

简介：摘要单羊膜囊双胎脐带交锁打结是妇产科临床中较为罕见的现象，孕妇孕期容易发生脐带缠绕和打结而发生宫内意外，笔者回顾性分析单羊膜囊双胎脐带交锁打结1例患者的入院处理全过程，以供同仁参考。

简介：对某型火炮提前关闩问题原因进行了深入的分析与研究，明确了该故障产生的机理，同时针对该型火炮开闩锁止机构设计缺陷，提出改进技术方案与措施，提高了该型火炮开关闩机构在复杂工作条件下的可靠性。通过大量模拟弹供弹试验和实弹射击试验验证后，该故障再未复现，深层次隐患彻底消除，对于该型火炮尽快形成战斗力，提高全炮性能具有重要意义。

简介：以CMOS存储单元为研究对象，介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展，讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响，提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能，并通过试验验证了该方法的有效性。

简介：摘要目的本研究采用CBCT对单侧后牙正锁患者治疗前后双侧髁突在关节窝中的位置和形态进行测量分析，探讨治疗前后髁突位置和形态的变化，为正畸临床诊断和治疗提供理论依据。方法选取单侧后牙正锁患者11例，男性2例，女性9例，平均年龄20.18±4.40岁；改良舌腭弓矫治器矫治锁；拍摄矫治前矫治后锥体束CT(cone beam computed tomography，CBCT)，测量分析髁突位置、形态等相关项目进行并对测量数据进行统计分析。结果矫治前锁侧较非锁侧髁突中心点至正中矢状面的距离小，治疗后锁侧较非锁侧髁突矢状面与标准水平面角度减小，差异有统计学意义(P<0.05)；治疗后较治疗前锁侧髁突顶点至正中矢状面的距离增大，治疗后较治疗前锁侧髁突高度增大；差异有统计学意义(P<0.05)。结论锁影响髁突在关节窝的位置，矫治后髁突位置有改变。

简介：

简介：摘要反物质就是反粒子。反粒子与正粒子同时存在于宇宙中。除中性粒子之外，每个正粒子都有反粒子。正反粒子的电荷都相反。正反粒子的质量有的相同，也有的不相同；其自旋有的相同，也有的不相同。宇宙中是中性粒子与正粒子发挥作用在主宰着。反粒子的性质与作用与正粒子相反，反粒子若与正粒子相遇即相战湮灭发生爆炸，变成别的粒子。本文公布了用易经机制和易经场获得的144种反粒子及质量、自旋和三子数量。

简介：以Xilinx公司的28nm系统级芯片（system-on-chip,SoC）Zynq-7000为研究对象,开展了α单粒子效应实验和低能质子单粒子效应实验,测得了系统级芯片的α单粒子效应敏感模块、单粒子效应截面及不同模块质子单粒子效应截面随能量变化的关系曲线。采用软件故障注入技术获得了系统级芯片多个功能单元的敏感单元以及故障表现类型,并且通过建立系统芯片软错误故障树,定量计算了系统芯片及其各功能单元的故障率和不可用度,确定了系统和子系统中的敏感模块。