简介：本文介绍了应用于金属互联工艺的ARC(抗反射层或防反射层)技术.通过对抗反射层基本原理的说明,结合工艺实验,深刻地理解ARC技术.最后给出了可以用于0.5μm工艺生产的ARC结构及用于衡量ARC性能的参数.

简介：本文从有关环境工程、绿色工程的概念出发,介绍了"绿色"电子元器件生产的发展历程,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.

简介：无铅技术带来的改变和影响，在材料上，尤其是焊料上的变化最大。而在工艺方面，影响最大的是焊接工艺。这主要来自焊料合金的特性以及相应助焊剂的不同所造成的。

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：SiC（碳化趟材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：

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简介：通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法,重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺,有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术,达到了腔底平整度不大于0.08mm、空腔尺寸准确度优于±0.15mm的关键技术指标,成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：超声波清洗的发展历史超声波技术起源于20世纪,在其发展过程中历经曲折,最终达到了今天的水平.

简介：本文指出了清洗工艺在集成电路制程中的重要性,详细介绍了目前广泛采用的几种清洗方法的清洗原理、特点、存在的问题以及发展的方向.

简介：摘要：近些年，矿选技术不断提高，各类矿选机械设备创新应用，比如新型的高效分选机械设备，使得金属矿选矿工艺得到极大提升。另外，浮选药剂分选技术等的应用也加快了选矿工艺革新。鉴于我国地质条件复杂，金属矿矿床的种类也相对较多，因此，选矿面临着贮存要求高和矿物品种繁杂的难点问题。不仅如此，大多数金属矿包含有大量的硫、二氧化硅等成分，导致金属矿选矿工作更加困难，同时采矿的效益也大大降低。选矿过程是一个至关重要的环节，本文深入分析研究了矿产选矿技术和工艺方法。

简介：7N1日，TCL集团副总裁史万文表示，TCL全球五大制造基地全部彩电生产线已提前半年完成改造，具备了RoHS标准生产能力，TCL以其为蓝本制定了企业“绿色品质”标准，全力打造绿色竞争力。

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简介：浅析半导体生产企业备品备件管理的目的性和内容,介绍备品备件的分类及重要备件缺乏时的应急措施等内容。以半导体行业中设备备件管理作为研究对象,对业内备品备件管理模式进行了探讨,并据此提出合理化建议。

简介：本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等作了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

简介：本文对电镀工艺加工过程中的不同类型的清洗工艺技术进行了综述,介绍了化学除油、电解除油工艺的基本原理、水洗工艺方法及目前电镀生产中清洗技术的最新进展.