简介：问题1：最近我们公司在生产组装FPC贴片出现大量的锡珠，我们的回温炉的峰值温度设定为260，真的是很头疼啊，每次都要去挑锡珠，请问是什么原因造成此类问题。，能否提供一些改善的建议？答：一般来说，产生此类现象的原因主要有以下几个方面：

简介：为了满足大批量生产的需求，从电路原理、工艺装配、调试测试等方面考虑，对放大组件中正交桥、限幅器、偏置电路、电压转换、放大电路和结构工艺等方面进行优化设计。并通过计算机仿真软件ADS和HFSS优化电路拓扑，采用表面贴装技术实现组件装配。有自适应功能的偏置电路稳定了FET的工作电流和工作电压，有效地简化了调试和工艺步骤。经试验验证，组件调试简单、一致性好，提高了生产效率，实现了稳定的批量生产。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：作为一种传统焊接技术，目前波峰焊依然在电子制造领域发挥着积极作用。本文介绍了波峰焊接技术的原理，以及一种新型波峰焊接技术的特点，与传统波峰焊情况不同，它可以保护表面贴装元件来实现对通孔元件焊接。最后本文分别从焊接前的质量控制、生产工艺材料及工艺参数这三个方面探讨了提高波峰焊质量的有效方法。

简介：LED是一种将电能转换为光能的半导体固态发光器件。其电光转换的机理是，在某些半导体材料的PN结中，载流子在电势差作用下循环往复地移动，当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量，从而把电能转换为光能。LED用于节能照明，它比传统的电阻发热、电弧惰性气体反应、荧光放电等光源，相同功效下其额定电压更低工作电流更小性能更稳定。LED可以产生各种单色光及多基色复合日光，这种照明产品就是利用LED作为光源制造出来的照明器具。

简介：本文介绍了一种在通孔回流工艺（THR）中实现插件（THC）自动贴装的方案，提高THR工艺的自动化程度和生产效率。希望给业界同行提供一些参考作用。

简介：<正>IBM日前宣布了能够支持22nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(ComputationScaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁GaryPatton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则

简介：随着电子产品越来越朝着短、小、轻、薄等趋势发展，电子产品越来越容易受到EsD静电的侵袭，为了更好地服务中国SMT电子制造企业，解决企业所受的ESD静电困扰难题，我刊特联合工业与信息化部电子行业职业技能鉴定工作站ESD静电防护中心将连载SMT组装生产中常用的ESD静电防护问题集锦，供行业人士参考。并借此栏目抛砖引玉，希望得到广大行业人士长期的支持集思广益，欢迎广大行业人士向刊投稿或者提出宝贵意见。

简介：锐德热力系统公司生产的VisionXC，集紧凑设计和最佳热力性能于一体，是全球广大制造商实现最佳效果的保证。公司年初推出该系统时，深受业界欢迎，并安排位于东莞的制造厂专门生产此系统，以满足国际和中国市场需求。

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要／关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素，寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验，最终确定了可以稳定通过MSL1的方案，其主要做法是：在粘片后采用分段烘烤，在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧