简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
简介：
简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。
简介：测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱，发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子（K^+,Li^+）注入电量的增加而增加，说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。
简介：通过同步X光荧光（SXRF）成分分析，定性地研究了在0．5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明：控制As压可以改变化学配比，在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
简介：利用北京同步辐射小角X光散射实验站，我们对超临界流体的抗溶剂过程中，高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明，在不断加入抗溶剂的过程中，高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。
LIGA技术X光深层光刻工艺研究
LIGA工艺制造微驱动马达的初步研究
全新深亚微米X射线T型栅工艺
SAXS研究凝胶化反应全过程分形行为
三氧化钨薄膜电致变色过程的EXAFS研究
高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响
凝胶化反应全过程分形行为的X—光散射研究
在3W1束线上进行X光深层光刻工艺研究
用小角X光散射研究超临界流体抗溶剂过程中高分子链尺寸和构象变化
