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《北京同步辐射装置年报》
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1998年1期
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高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响
高温退火过程中As压对SI—GaAs化学配比的影响
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摘要
通过同步X光荧光(SXRF)成分分析,定性地研究了在0.5atm、0.6atm、0.7atmAs压下1150℃进行退火处理后衬底化学与比的变化。结果表明:控制As压可以改变化学配比,在足够As压下的高温退火将改善化学配比均匀性。
DOI
rj8ez6y7j0/1407234
作者
张峰翊;黄宇营
机构地区
不详
出处
《北京同步辐射装置年报》
1998年1期
关键词
高温退火
半绝缘GAAS
As压
化学配比
X光荧光分析
砷化镓
分类
[核科学技术][核技术及应用]
出版日期
1998年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
北京同步辐射装置年报
1998年1期
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