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22 个结果
  • 简介:成像板是一种新型的集成式面探测器系统,近年来被广泛用于X光,特别是高强的同步辐射X光实验。为改善BSRF的探测条件和水平,最近BSRF购进了一套日本FujiFilm公司生产的BAS-2500成象板探测系统,提出供给广大用户使用。本文介绍了IP的工作原理、特性及应用,并对BSRF的IP探测系统作一简要介绍。

  • 标签: 成象板 面探测器 X射线 工作原理 应用
  • 简介:详细介绍了软X射线绝对光强测量系统的设计和结构及其标定的情况和结果。测量系统包括电离室、监测(或待标定)探测器及其传动系统两部分,可作为50-2000eV软X射线绝对强度测量的一级标准探测器,并给出了系统的偏差。

  • 标签: 测量系统 软X射线 绝对光强 测量 电离室 标定
  • 简介:软X射线监测系统的建立,结构特点和性能,有效地解决了气体的吸收和窗膜的透过率等因素的影响。申请获得了美国布鲁克海文国家实验室(BNL)的用光时间,对监测系统的性能进行研究,并给出了该系统的精度及与国际标准的比对结果。

  • 标签: 软X射线 软X射线监测系统 国际标准 电离室 光强度 测量
  • 简介:本文扼要介绍了光束线真空控制保护系统的设计思想、设计要求、系统的作用和某些改进。此外,系统在设计了上采用了新技术-可编程序控制器(PLC),使控制系统的可靠性和灵活性得到了进一步的提高。研制这个系统的主要目的是,当光束线上出现(由铍窗或波纹管等偶然破裂引起的)灾难性真空事故时,能够有效地保护北京正负电子对撞机中的大型超高真空装置-电子储存环的真空系统不会遭到这种灾难的破坏,使其安全运行。本光束线的真空控制保护系统于1996年投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 3W1光束线 真空控制保护系统 储存环
  • 简介:本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置(BSRF)上的3W1高功率(总功率为2.54W)扭摆磁铁(Wiggler)光束线(包括前端区、3W1A和3W1B)而设计和建造的。主要建造目的是,保护北京正负电子对撞机(BEPC)电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到在某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏,以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外,在活动水冷挡光罩关闭之前,为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏,在快速阀中使用了一种熔点温度为1680℃的钛合金阀板。为了给扭摆磁铁光束线提供一个可靠的真空控制保护系统系统设计是以F1-60MR型可编程序控制器(PLC)为基础的,PLC负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了系统的设计。

  • 标签: BSRF 扭摆磁铁 设计 同步辐射光束线 真空控制保护系统 可编程序控制器
  • 简介:本文向用户扼要介绍了光束线3W1A及其实验站的辐射安全联锁系统的设计目的、设计思想、系统的功能作用和操作规则。本系统于1996年9月投入试运行,于1998年年底通过院级鉴定和验收。

  • 标签: BSRF 实验站 辐射安全联锁系统 储存环 3W1A光束线
  • 简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。

  • 标签: 微马达 LIGA技术 光刻 掩膜 电铸 同步辐射
  • 简介:在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X-射线在样品表面激发出的电子产额随X-射线能量的变化,提取在吸收边附近的XAFS震荡。对不同厚度Cu薄膜的测量表明,在Cu的K吸收边附近可观察到信噪比很好的XAFS震荡。该探测器设计简单,可以直接在大气下工作。全电子产额XAFS方法的建立,有助于导电薄膜和材料的近表面结构研究。

  • 标签: 测量 XAFS谱 全电子产额技术 同步辐射 X-射线吸收精细结构 磁控溅射
  • 简介:利用北京同步辐射装置漫散射实验站的五圆衍射仪,建立了掠入射X射线衍射实验方法。对Si表面生长的Ge/Si量子点及其在Si表层产生的应变进行了成功测量,表明此方法可以有效地提取表面层的微弱信号。实验结果表明,Ge/Si量子点的形成除了在Si衬底表层形成了晶格具有横向膨胀应变的区域之外,还在Si衬底中形成了具有横向压缩应变的区域。

  • 标签: 同步辐射 X射线 实验技术 应用 掠入射衍射 表层结构
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层