简介:对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响:随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.
简介:摘要: CMOS器件是现代微电子发展的重要基础,正是基于 CMOS器件,使得沟道内电流可以得到有效调控,从而使得芯片以及集成电路得以实现,可以说当前计算机信息技术的发展与繁荣, CMOS器件在其中发挥着至关重要的作用。而在其微机械加工环节中,为了使得各项技术参数控制的更加准确,并保证最终器件的质量,需要使用到优越的温度传感器作为判断的依据来源,而对温度传感器中使用到的多晶硅层特性进行研究与分析也是相当有必要的。基于此,本文选择了不同种类的多晶硅层,并借助一定的实验研究其电阻与温度之间的关系,从而得出材料的重要物理参数如基准温度电阻、电阻温度系数等等,这些参数也是确定温度传感器使用范围的重要依据,根据此可以得出在怎样的临界温度下工作。基于上述实验,得到更加适合 CMOS微机械加工温度传感器的多晶硅层,以供相关人士参考。
简介:对T型衰减器的插入损耗和衰减性能进行了理论分析,在此基础上设计了一个用于跳时超宽带(TH-UWB)通信的载波频率为4GHz的通断键控(OOK)调制器.该调制器的核心是一个T型RFCMOS衰减器,其电路拓扑结构包括3个主要部分:振荡频率为4GHz的振荡器、由射频CMOS晶体管构成的T型衰减器和带有L型结构的输出阻抗匹配网络.该调制器由一个脉位调制(PPM)信号控制,使已调信号的包络随控制信号的幅度而变化,以实现调制功能.除此之外,输出匹配网络将调制器的输出阻抗匹配到50Ω负载.调制器采用0.18μm射频CMOS工艺进行设计并仿真,其芯片经过测试,在1.8V电源和50Ω负载下有65mV的输出幅度,输出端回波损耗(S11)小于-10dB,功耗为12.3mW,芯片尺寸为0.7mm×0.8mm.
简介:院对于非常规的储层,例如页岩气,它的储层区是脆性的。在描述不同岩石物理的参数中,杨氏模量E是衡量岩石的脆性的。
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得