简介：近日，德国汉高技术公司开发成功针对叠层SIP（系统及封装）商业应用设计的半导体级环氧树脂铸模复合材料，该材料专用于各种叠层铸模阵列封装的过模塑。

简介：低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能，近年来受到研究学者的广泛关注。综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展，并对已经报道的制备方法进行了分类和总结，展望了低维元素半导体的研究前景。

简介：日前，投资50亿元的“西安半导体产业园”在西安高新区签约。该项目以建设半导体照明、太阳能光伏和半导体功率器件3条产业链为主，建成后将实现年销售收入140亿元。

简介：近日，美国芝加哥大学研究人员在著名学术期刊《自然》上报道了一种创新性方法，有望制备出仅有几个原子层厚度的半导体器件，为科学家和工程人员提供了一个制作超薄、均一半导体薄膜材料的简便、低成本方法，可应用在太阳能电池和智能电话的电子器件中。

简介：采用多孔氧化铝模板,通过直流电化学沉积法成功制备出不同掺杂浓度的Cd1-xMnxS纳米线,用XRD、SEM、HRTEM对纳米线的成分、形貌、结构进行了系统分析,并用SQUID对样品进行了磁性测量,结果表明,制得的Cd1-xMnxS纳米线呈单晶CdS纤锌矿结构,而且沿002方向有择优取向性,没有发现其它含Mn的化合物生成。从ZFC/FC曲线看出样品的居里温度接近于室温,且在低温处存在奇异现象。45K和300K下测量的的M-H曲线显示磁滞现象,测得的矫顽力分别是300Oe和100Oe,说明样品具有铁磁性。样品的紫外-可见光反射谱显示Cd1-xMnxS纳米线的吸收边并不随掺杂浓度x单调变化,而是随着掺杂量的增大能隙先减小后增大。掺杂度在1%处能隙有最小值。

简介：日本产业技术综合研究所（产综研）宣布，成功使用高纯度半导体单层碳纳米管（SWCNT）制成了晶体管。晶体管的导通／截止比（导通时与截止时的漏极电流之比）为1×10^5以上，载流子迁移率超过2cm2／Vs。

简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。

简介：最近，国际期刊《先进材料》报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生朱礼军的最新研究制备出室温环境中同时具有超高垂直矫顽力、超强垂直磁各向异性和大磁能积MnGa单晶铁磁薄膜。

简介：密歇根大学安娜堡分校报告说，他们的化学家发明了一种室温下从水中同时合成和沉积锗晶体半导体膜的方法，使用组装的设备仅需几美元。

简介：随着全球步入“后危机”时代，寻找并培育新的经济增长点、发展战略性的新兴产业成为新时期世界各国抢占新一轮战略制高点的最重要手段之一。对于中国来说，发展战略性新兴产业，不仅是我们立足当前、应对危机的权宜之计，更是面向未来、着眼长远的重大战略抉择。半导体照明是为数不多的、逐渐掌握了关键核心技术、具有市场需求前景的战略性新兴产业特征的产业之一，其特征包括资源能耗低、带动系数大、就业机会多、综合效益好等。

简介：据美国物理学家组织网日前报道，美国得克萨斯大学奥斯汀分校的研究人员表示，根据有关太阳能能量转换机制的全新研究，利用一种有机塑料半导体材料，可使传统太阳能电池的效率显著增加，从31％提升至44％。领导这一研究的该校化学系教授朱晓阳及其团队发现，利用一种有机塑料半导体材料，可使从太阳光子收获的电子数量增加一倍。

简介：据有关媒体报道，天津市规划投资683亿元，加快发展移动通信产品、显示器、电子元器件三大优势领域。“十一五”期间，将形成手机1亿部、片式元器件1400亿只、半导体芯片150万片、硅材料400吨的年产能力，使之成为全国最大的半导体分立器件和硅材料生产基地。将重点支持3G手机和设备、100英寸以上显示设备的开发和生产；重点发展高速、小型、贴装化高压整流器件及硅材料生产，

简介：美国俄亥俄大学的科学家们制造了一种改进的磁性半导体材料。这个三明治结构中间的氮化镓和镓锰合金层几乎消灭了半导体和铁磁层间的混合，并允许电子自旋被控制，解决了自旋电子学领域多年来未解决的问题。

简介：据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

简介：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20，3615（2008）上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

简介：WSTS（全球半导体贸易统计组织）日本协会日前在东京举行了新闻发布会，发布了WSTS的2011年春季半导体市场预测。与2010年11月发布的秋季预测相比，整体进行了上调。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：据报道，目前台积电的7nm布局最积极，近期台积电更是转变了7nm制程设备的采购策略，将应用材料（AppliedMaterials）、科林研发（LAM）、东京威力科创（TEL）、日立先端（Hitach）、中微半导体5大设备商均纳入采购名单，致力平衡7nm制程设备商生态价格。

简介：中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。

简介：利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO（Zn1-xNixO）稀磁半导体材料，通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试，探讨了反应时间对Zn1-xNixO材料结构及磁性的影响。结果表明，反应时间显著影响Zn1-xNixO的结构与磁性，随着反应时间的延长，样品的结晶质量下降，形貌由六方棒状结构转变为片状结构，同时磁性减弱。