简介:据华盛顿国际半导体设备与材料协会(SEMI)报道,世界范围内新半导体制造设备2018年预期增加10.8%,增加至627亿美元,超过2017年的历史最高566亿美元记录。CIA一次设备市场破纪录的年份预计将在2019年,预期增长7.7%,增长至676亿美元。SEMI年中预报预计晶片工艺设备将在2018年增长11.7%,增长至508亿美元。其他前端环节,包括晶圆厂设备、晶圆制造以及标记伐9分设备2018年预期将增长12.3%,至28亿美元。组装打包设备2018年预期增长8%,至42亿美元,半导体测试设备今年预期增长3.5%,至49亿美元。
简介:分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响,结果表明,影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间,此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。