硼氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体

中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法，在生长单壁碳纳米管过程中，原位进行硼（B）、氮（N）共掺杂，实验和理论研究发现，硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20，3615（2008）上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

• 出处: 《纳米科技》 2008年6期
• 关键词: 单壁碳纳米管 共掺杂 半导体 金属性 中国科学院物理研究所 国家实验室
• 分类: [一般工业技术][材料科学与工程]