首页 > 《现代材料动态》 > 2017年9期 > 在液态金属膜上溶解氧化锗来制造结晶半导体

在液态金属膜上溶解氧化锗来制造结晶半导体

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要密歇根大学安娜堡分校报告说，他们的化学家发明了一种室温下从水中同时合成和沉积锗晶体半导体膜的方法，使用组装的设备仅需几美元。

DOI 34gvyroo49/1775607

作者

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2017年9期

关键词半导体膜氧化锗金属膜结晶制造溶解

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2017年09月19日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1郝佳佳. 无机钛金属膜的应用及污染机理研究.建筑设计及理论,2018-03.
2赵佶. 半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素.物理电子学,2013-02.
3康智能. 金属膜滤芯在机械泵式VD炉除尘中应用.建筑技术科学,2021-04.
4李鑫淼. 常用溶解氧测量方法及溶解氧分析仪校正.电力系统及自动化,2021-09.
5胡海明. 清酒溶解氧的控制.发酵工程,2013-09.
6. 精确测量监控溶解氧.农产品加工及贮藏工程,2017-02.
7宋飞. 除氧器溶解氧正常但是省煤器入口溶解氧超标的原因及处理.建筑技术科学,2020-08.
8. 纳米多孔结晶金属氧化物材料.无机化工,2004-04.
9李雪. 半导体制造设备的进步支撑半导体产业的持续发展.建筑技术科学,2024-05.
10. 科学家研制出锗锡半导体激光器.材料科学与工程,2015-04.

来源期刊

现代材料动态

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

半导体膜氧化锗金属膜结晶制造溶解

返回顶部