简介：介绍圆片级封装的设计考虑、基础技术、可靠性、应用情况及发展趋势。

简介：本文简要叙述了晶圆片级封装技术及其优越性，并概述了国内外对晶圆片级封装技术的研究状况和应用前景。

简介：

简介：ShellCase公司的圆片级封装技术工艺，采用商用半导体圆片加工设备，把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装（WL—CSP）工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露，并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上，并进行回流焊，圆片分离形成封装器件成品。WL—CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装（CSP），其测量厚度为300μm-700μm，这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。

简介：<正>据《SolidstateTechnology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将微机电系统(MEMS)和声表器件(SAW)进行全晶圆级的封装。这一工艺技术进行各种灵活且低成本的设计,并使MEMS与IC技术匹配,而无需复杂的结构、测试和组装,这一工艺技术约占MEMS元件成本的

简介：芯片级封装是指芯片在PCB基板上安装尺寸等于或接近于芯片尺寸的、高密度组装技术,它是在表面安装技术上深入发展起来而成为新一代的电路组装技术.芯片级封装的优点使它成为当前和今后最具优势(选)的高密度封装方法之一.而HDI/BUM板是受芯片级封装技术推动而发展起来新一代PCB产品.HDI/BUM板将推动PCB全面走向高密度化(微导通孔、导线微细化、介质薄型化等),严格的CTE匹配和紧密的板面高平整度化要求,最后介绍了HDI/BUM的关键生产工艺.

简介：据SemiconductorReporter网站报道，OlympusntegratedTechnologiesAmerica近期发布了一款新型300mm圆片光学全顶、边缘、倾角和背端缺陷检测系统。该公司以前的检测系统不含有倾角检测能力，倾角检测将通过连续角度调节实现最佳成像和缺陷探测。

简介：系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封装集成技术的一些重要发展和面临的挑战。

简介：从锡铅工艺向无铅工艺转化过程中，可能会出现一些意想不到的器件封装、测试问题，因此必须从模拟实验中推测可能出现的问题，寻求出解决方案。无铅装配中器件性能及长期可靠性固然重要，但如果凸点材料不具备可生产性和可测试性，那么就不能将这种材料引入无铅产品中。另外，无铅测试中要求负载力增大，这样会导致贵重测试设备的损坏或降低生命周期，因此．选择了错误的材料或是操作设置参数不适当．就会延误产品投放市场的最佳时机，在利润减少的同时，又失去了客户的信任度。

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简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

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简介：一、启发提问图７－７７１．如图７－７７，⊙Ｏ１、⊙Ｏ２沿直线Ｏ１Ｏ２作相向运动，请观察：（１）两圆有无公共点？若有公共点？有几个？（２）在哪几个位置时⊙Ｏ１与⊙Ｏ２有一个公共点？（３）在什么位置时⊙Ｏ１与⊙Ｏ２有两个公共点？２．设⊙Ｏ１的半径为ｒ，⊙Ｏ２的半径为Ｒ，Ｏ１Ｏ２＝ｄ，试用ｄ、Ｒ、ｒ之间的数量关系表示两圆的五种位置关系．３．若两圆相切，则连心线必过．４．连心线是一条直线，相交两圆的连心线公共弧．二、能力训练１．填空图７－７８（１）设⊙Ｏ１、⊙Ｏ２的半径分别为ｒ、Ｒ（Ｒ≥ｒ）．Ｏ１Ｏ２＝ｄ，那么：①如图７－７８，⊙Ｏ１与⊙Ｏ２相离，则ｄＲ＋ｒ．②如图７－７９，⊙Ｏ１与⊙Ｏ２外切，则．③

简介：PLC控制人机界面一线速度自动补偿。软辊自动修复。相位电动调整。美国进口软套。挡纸板电动调整。送纸系统四杆联动，快速准确。主电机变频调速，步进电机微调

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简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.