简介:通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究,获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm,深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
简介:
简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。
简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。
LIGA技术X光深层光刻工艺研究
LIGA工艺制造微驱动马达的初步研究
New LIGA exposure source in China
用LIGA技术制作微马达构件
A new sacrificial layer method of liga technology to fabricate movable part of a gripper
北京同步辐射装置—3B1A束线,光刻实验站和LIGA实验站
全新深亚微米X射线T型栅工艺
在3W1束线上进行X光深层光刻工艺研究