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159 个结果
  • 简介:X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位,以建立纳米级长度基准,从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性,因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点,并考虑到X射线的吸收特性,用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室(BSRL)4W1A束线上选择17.5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验,在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

  • 标签: 17.5Kev同步辐射光 干涉技术 X射线干涉测量技术
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。实验结果表明,由于Ge原子的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层,浓度平均值为X=0.13;650℃退火会使Ge原子向表面扩散,Si晶体中的合金层消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层。

  • 标签: 同步辐射 X射线驻波实验技术 半导体超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 超薄锗厚子层
  • 简介:采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置,对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27.1-29.5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰,对该实验现象进行了讨论。

  • 标签: 纳米硅化铁 同步辐射 X射线研究
  • 简介:新型硅P-N结光电超二极管对光于能量响应范围已达到了X射线范围。它具有线性范围大,能量响应范围宽,量子效率高等优点,因而适用X射线之探测。本文介绍了以光电二板管构成同步辐射XAFS探测器替代传统的电离室探测器组合的研究工作,给出了的探测器结构设计,工作原理,实验结果及讨论。

  • 标签: XAFS实验 探测器 同步辐射 硅P-N结光电超二极管 结构设计 工作原理
  • 简介:本文首次利用异常衍射精细结构谱(DAFS)分析技术对多层膜中的NiFe和Cu的精细结构进行了分析。从DAFS谱中,我们提取出Ni和Cu的精细结构谱,从而可以单独研究多层膜中NiFe和Cu的精细结构。与荧光EXAFS谱的比较表明,两种方法得到的谱线完全一致。该技术研究超薄多层膜的精细结构提供一种强有力的工具。

  • 标签: DAFS NiFe/Cu多层膜 结构 超薄金属多层膜 异常衍射精细结构谱
  • 简介:阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究

  • 标签: 微马达 LIGA技术 光刻 掩膜 电铸 同步辐射
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶体 BATIO3 同步辐射 X射线衍射
  • 简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

  • 标签: KTiOAsO4晶体 同步辐射X射线形貌术 缺陷 铁电畴 砷酸钛氧钾 激光材料
  • 简介:采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法,对小于临界尺寸(120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究,在实验压力范围内(0-21.2GPa,0-46.67GPa),纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

  • 标签: 纳米晶 BATIO3 RAMAN散射 同步辐射 高压X射线衍射 钛酸钡