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33 个结果
  • 简介:本文从分析双T网络虚地输出端着手,借助串/并联等效变换,给出双T网络的电压/电流量图和阻抗图;引入对称化处理概念;界定了双T网络的实际输入阻抗;建立了完备的阻抗方程组,并做了按指定输入阻抗设计电路的示范。

  • 标签: 虚地 电压/电流相量图 阻抗分界线 实际输入阻抗
  • 简介:在阻尼结构的设计过程中,常常需要根据实际情况,合理确定各项参数,以达到提高阻尼板对振动能量的损耗率、增强阻尼板刚度的目的。阻尼板中应变能与损耗因子的关系为η^(r)=ηeVE^(r)/V^(r)+ηV/Vv^(r)/V^(r)(1)式中:V^(r)是阻尼结构第r阶的总变形能;VE^(r),Vv^(r)分别是弹性材料、黏弹性材料第r阶的变形能。

  • 标签: 优化设计 阻尼层 黏弹性材料 圆板 复合 阻尼结构
  • 简介:低压化学气淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀、结构和牺牲的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。

  • 标签: 低压化学气相淀积 微电子机械系统 硅基片 二氧化硅薄膜
  • 简介:将强爆炸环境中的冲击波与目标表面热作用简化为一维/二维平面冲击波与水平热作用,分别采用一维不定常流理论和二维有限体积数值方法进行求解,获取冲击波与热作用的流场发展图像。结果表明:一维情况下,热内产生了往返传播的波系,致使流场压力、密度等物理量以阶梯型变化趋近终值;二维情况下,流场中出现了独特的前驱波和涡旋结构,壁面附近压力随时间变化呈现双峰构型,与无热存在的情况相比,冲击波到时提前,动压水平分量峰值增大1~2.5倍。

  • 标签: 冲击波 热层 前驱波 涡旋结构
  • 简介:本文设计一种断保护电路。当电路工作正常时,发光二极管闪亮;电路缺时,发光二极管不亮。同时,继电器触点断开,通过接触器切断电路使电机停止运行。

  • 标签: 电机 断相保护电路 缺相 接触器 断电 运行
  • 简介:纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片,反应气体为CH4和H2混合气,V(CH4):V(H2)=1%-4%,基体温度800-1000℃,沉积时气压为0.8~2.0kPa。SEM观察表明,影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度,这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

  • 标签: 化学气相沉积系统 纳米金刚石薄膜 热丝法 反应气体 基体温度 金刚石膜
  • 简介:制备了金属-铁电-绝缘-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT
  • 简介:利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于的微结构。实验结果表明,由于Ge原予的偏析,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金,浓度平均值为x≈0.13;650℃退大会使Ge原予向表面扩散,Si晶体中的合金消失,在晶体表面形成接近纯Ge的单原于

  • 标签: X射线驻波方法 半导体 超薄异质外延层 硅晶体 外延生长 Ge
  • 简介:将两种电介质界面附近点电荷产生的电势和镜像势的方法做了推广,分情况进一步讨论了三电介质结构中的电势分布、镜像力和镜像势,并运用镜像法求得了相关物理量的解析表达式。

  • 标签: 镜像势 电介质 点电荷
  • 简介:通过分析气液两在多孔介质中的相互作用过程,建立了一套描述两多组分非等温渗流的数学模型。所建立的控制方程中,既包括对流、弥散和源汇作用,也包括非达西流动、水气转变以及辐射传热等高温高压环境下的特殊物理过程。提供了一套完整的使控制方程封闭的本构关系,并推导了比能和比焓的计算公式。利用本文模型对地下爆炸气体的迁移过程进行了数值模拟。结果表明:与气渗流模型相比,该模型可以更合理地描述气体在地质介质中的输运行为。

  • 标签: 两相渗流 非等温流动 数学模型 本构关系 气体输运
  • 简介:采用晶体场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延的生长形貌和界面平均厚度,分析了晶格失配和衬底倾角对外延的影响。研究表明,在错配度较大时,随着衬底倾角的增大,外延由层状生长(0°与1°)转变为岛状生长(2°)。

  • 标签: 异质外延 晶体相场模型 失配位错
  • 简介:目前钛合金模锻件主要采用等温成形,需要专用的慢速可调压力设备和昂贵的高温镍基合金模具,并需要专门的加热装置。当前钛合件零件趋于多样化,企业更多采用柔性化生产,为每种锻件生产专用等温模锻模具和加热装置非常不经济,研究常规条件下钛合金变形存在的问题和解决方法,利用常规设备和普通模具锻造出具有较高尺寸精度的锻件,将使得钛合金的应用进一步扩大,降低制造成本。

  • 标签: 钛合金 成形过程 冷硬层 挤压 合金模具 加热装置
  • 简介:《杨振宁———20世纪一位伟大的物理学家》译甘幼王平编者按:本文原载《杨振宁———20世纪一位伟大的物理学家》(丘成桐刘兆玄编,甘幼王平译,广西师范大学出版社第一版,桂林,1996.)1992年,是方今健在的最伟大的物理学家、诺贝尔奖得主杨振宁教授...

  • 标签: 杨振宁 物理学家 20世纪 广义相对论 翻译出版 伯克利分校
  • 简介:应用晶体场法研究大角度晶界在外加应力作用下温度对位错运动的影响。研究表明,大角度晶界在应力作用下会发生形状变化;当变形达到临界应变时,晶界褶皱处产生位错并发射进入晶粒内部;温度较低时,晶界处位错形核所需的临界应变更大。在应力作用下大角度晶界通过改变曲率和位错运动产生迁移,温度较高时有利于晶界迁移。

  • 标签: 晶体相场法 晶界 位错 温度
  • 简介:根据晶界迁移率与温度的关系,将晶粒长大过程控制在一定宽度的热区内,构建了具有无限大温度梯度且在热区内温度均匀的热区模型,并应用场方法研究了热区温度和热区宽度对单相多晶材料中柱状晶粒结构形成过程的影响。所得晶粒形貌与实验结果吻合。

  • 标签: 相场方法 定向退火 晶界迁移率 柱状晶粒 晶粒长大
  • 简介:实验研究了大气环境下纯铁薄片样品在1070nm连续激光辐照下的耦合特性变化规律,并通过控制激光辐照时间获得了不同反射率和氧化状态的纯铁氧化样品。利用椭偏光谱法研究了不同氧化状态纯铁氧化在1070nm处的折射率和消光系数,基于椭偏反演结果和氧化的微观形貌,提出了激光辐照下初期生成的α-Fe2O3氧化等效折射率随膜厚变化的分段表征,并进一步修正了计算金属氧化激光反射率的多光束干涉模型。利用修正后的模型计算了纯铁在激光辐照过程中的反射率变化规律,与实验结果吻合较好。

  • 标签: 反射率 激光辐照 氧化层 光学常数 椭偏光谱
  • 简介:苯系物作为一类常见的挥发性有机污染物对人体危害极大,因此研究并建立空气中苯系物的快速检测方法十分必要。固微萃取(SPME)技术非常适用于快速的污染物定性定量检测,但用于检测空气中苯系物研究较少,有研究表明多种物质在萃取纤维上也存在吸附材料上常见的竞争吸附效应,从而导致常用的标准曲线法定量可能无法反映实际样品的组成。采用多组分苯系物标准气体分析萃取头的吸附情况,考察各种参数对SPME萃取头上存在的竞争吸附行为。

  • 标签: 固相微萃取技术 快速检测方法 吸附效应 苯系物 竞争 空气
  • 简介:以TiC14为源物质采用常压化学气沉积法制备了TiO2薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率,进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现,在不同气流量、沉积温度为100~250℃的条件下制备的TiO2膜,其折射率在2.16~2.82范围内,消光系数在0.04×10-3~6.70×10-3范围内,光学带隙能在2.8~3.08eV范围内。在光催化作用下,TiO2膜用于处理苯酚溶液,苯酚的转化率高达54.05%。关键词##4化学气沉积(CVD);沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原

  • 标签: 化学气相沉积(CVD) 沉积率 折光率 消光系数 光催化