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《中国工程物理研究院科技年报》
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2003年1期
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低压化学气相淀积工艺技术
低压化学气相淀积工艺技术
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摘要
低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一,也可以用于集成电路钝化膜制备。
DOI
pj011w18dy/349675
作者
吴嘉丽
机构地区
不详
出处
《中国工程物理研究院科技年报》
2003年1期
关键词
低压化学气相淀积
微电子机械系统
硅基片
二氧化硅薄膜
分类
[理学][物理]
出版日期
2003年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国工程物理研究院科技年报
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