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  • 简介:为了低损耗开关模式电源(SMPS)结构的最佳化,硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导,并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时,具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持,而这些数据常常涉及知识产权,因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

  • 标签: 数字革命 系统集成 系统集成芯片 绝缘衬底上的硅
  • 简介:COF技术由于具备诸多优势,已经成为LCD驱动IC的主要封装技术。对三种无胶基材进行实验,通过测量孔径和误差之间的关系,得出1.5mm孔为引入误差最小的孔;测量真空层压后基材的尺寸稳定,三种基材能够符合COF技术要求。

  • 标签: COF 无胶基材 尺寸稳定性
  • 简介:通过对船舶腐蚀的基本原理的分析以及传统防腐蚀方法的阐述,在此基础上提出了船舶腐蚀防护方法中外加电流建立反馈系统,对船舶腐蚀防护进行更好的监测和处理。对于外加电流船舶腐蚀防护法实施技术性监控,建立反馈系统。提高外加电流系统的可靠性。为当今船舶腐蚀防护方法提出一个明确的发展方向。

  • 标签: 船舶防腐蚀 阴极保护法 外加电流系统 恒电位
  • 简介:造成电子元件损坏的原因现在,电子元器件故障除静电直接放电外,附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统,且系统速度越快,越易受到影响。有实验表明:1~3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内,放电相应带宽就高达300多兆赫,因此,现代高速系统一般都采用VHF/UHF屏蔽及接地技术。

  • 标签: 保护器件 半导体 VHF/UHF 电子元器件 可靠 元件损坏
  • 简介:无铅焊接的焊点可靠性问题受到特别重视。采取高低温温度冲击试验和高温试验,可评估Sn—Ag—Cu焊点强度。通过分析Sn-3.5Ag-0.75Cu和Sn-2Ag-0.75Cu-3Bi焊料的性能,可以研究引起焊点强度下降的因素。主要分析方法包括:使用SEM观察焊点结构变化;使用EPMA完成焊点界面合金层的元素分析。本研究通过对焊点结构变化包括Ag3Sn网格结构变化的分析,揭示出结构退化、

  • 标签: SN-AG-CU 焊点可靠性 温度冲击试验 结构变化 焊点强度 可靠性问题
  • 简介:印制电路板孔的加工形式有多种工艺方法.而目前使用的最多的为数控机械钻孔。机械冲孔由于精度较差,高精度微孔加工难以完成,而新发展起来的激光钻孔技术,由于设备昴贵也使用较少,因而数控机械钻孔加工仍是印制电路较重要的孔加工工艺方法。由于印制电路板的孔加工质量直接影响其机械装配性能和电气连接性能,因此孔加工是印制电路板不可忽视的重要步骤。要获得精度高、质量好的钻孔效果,因此首先必须对其影响钻孔工艺因素的以下几个方面进行深刻了解和研究。

  • 标签: 印制电路板 数控钻孔 机械钻孔 微孔加工 激光钻孔技术 工艺方法
  • 简介:在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

  • 标签: 功率因素 第二代 电力电子设备 正解 功率损耗 转换效率
  • 简介:在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中,我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用,在各种工作模式下都是稳定的,其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定

  • 标签: 感应电机 无速度传感器 矢量控制 MRAS 速度观测器 定子观测器
  • 简介:由于能源调节的持续增长,电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时,出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实,并且会提供一些相关的公式。

  • 标签: 计算机辅助设计工具 功率因素 变换器 连续导通模式 持续增长 校正设计
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正