简介：用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS／PS复合膜的光致发光性质．XRD结果表明，制备的ZnS薄膜沿G—ZnS（111）方向择优生长，结晶质量良好，但衍射峰的半峰全宽较大；SEM图像显示，ZnS薄膜表面出现一些凹坑，这是衬底PS的表面粗糙所致．室温下的光致发光谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰蓝移．把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合膜呈现较强的白光发射．

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的硅集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通硅晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：摘要：绝缘体上硅是半导体器件演变过程中技术革新的关键一环，为芯片的创新与发展带来契机。高性能芯片的出现让大部分业内器件制造商更加青睐绝缘体上硅材料，同时不断完善技术，致力于运用集成技术制造体积更小、损耗更低的半导体芯片。本文将详细分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺流程，分析其可靠性，总结对目前技术的创新办法，为相关技术应用提供参考。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：射频绝缘体上硅公司PeregrineSemiconductor近期宣布在微波频率段实现集成相位和幅值控制,这是其下一阶段智能集成能力的发展重点。去年秋天,Peregrine宣布利用UltraCMOS技术可将射频、数字和模拟组件集成在单一芯片上。如今通过在更高频率条件下实现相位和幅值控制,Peregrine公司表示可以为无线基站,合成孔径雷达,波束形成和取消干扰等应用领

简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。

简介：尝试用热丝化学气相沉积工艺(HFCVD)在铁衬底上合成金刚石。通过喷嘴向铁衬底上喷射源气体，可在大气压下合成金刚石。金刚石晶粒尺寸在180分钟内可生长到约20μm。用本工艺合成的金刚石只含有少量非金刚石碳。同铁衬底的情况一样，喷射源气体也有利于硅片上的金刚石合成。

简介：

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：摘要：

简介：德国瓦克化学公司（Wacker）宣布，其为中高压绝缘技术生产的POWERSIL绝缘产品系列中的陶瓷和玻璃绝缘子有机硅涂层材料具有长期稳定性。使用POWERSIL涂料给传统的绝缘子进行涂层后，它给绝缘子添加了拒水作用（疏水性），让绝缘子有了优异的电气性能。

简介：高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

简介：法国BERNIN2010年3月19日电／美通社亚洲／在中国受到高度关注和支持的SOI项目全球领先的微电子行业工程晶圆供应商SOITECGroup（EuronextParis）今天宣布，该公司与中国领先的半导体专业代工厂商华润上华半导体有限公司（CSMCTechnologiesCorporation）（“CCSMC”）签订了一项协议，向后者提供绝缘硅（SOI）晶圆。

简介：摘要：现阶段，随着社会的发展，我国的电力行业的发展也有了很大的提高。 带电作业工作是保证电网安全经济运行的一项重要技术措施，是提高供电可靠性和设备完好率的必不可少的一项技术手段。随着社会经济的发展，电力用户对供电可靠性的要求不断提高， 10千伏配电线路不停电工作应用越来越频繁。

简介：摘要要解决车灯的漏水、防尘、部件粘接等问题则需要在车灯上用到密封胶材质。通过对反应型聚氨酯热熔胶、丁基热熔胶和室温硫化的有机硅密封胶等几种密封材料在车灯应用中表现出来的应用特点和性能特性，我们对有机硅密封胶在车灯应用中表现出来的性能优势和其在使用过程中需要了解的注意事项进行了重点介绍。

简介：

简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，