简介:精确估计计算资源的规模是气象集约化资源池合理设计的关键,但是由于应用对计算资源需求可能突发增长,应用部署方案种类繁多等因素的存在,致使计算资源规模估计困难。为解决该问题,本文对计算资源容量规划问题进行建模,并在分析问题求解难度的基础上,根据问题的特点设计了一种基于离散差分进化算法的计算容量估计方法。在问题建模上,本文采用资源预留策略来保证应用能获取足够的计算资源。在方法设计上,方法首先建立了应用的部署顺序与计算资源容量规模的映射关系,并以所需参考服务器的规模和资源利用水平来综合评估应用部署顺序的适应度;然后,通过随机方式生成初始方案,并以适应度为评价标准,利用变异、交叉、局部搜索等操作改变应用的部署顺序;最后,通过迭代搜索估计计算资源所需的规模。实验结果表明该方法能有效估计计算资源容量的规模。
简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。
简介:采用模压成形制备预制件,经真空-压力浸渗后成功制备出带金属密封环的A1SiC管壳,评价了带密封环的A1SiC管壳的性能当磷酸铝含量为1.2%,成形压力为200MPa,800℃恒温2h处理的SiC预制件抗弯强度为12.4MPa,孔隙率为37%。A1SiC电子封装材料在100℃~500℃区间的热膨胀系数介于(6.52-7.43)×106℃^-1,热导率为160W·m^-1·K^-1,抗弯强度为380MPa,漏率小于1.0×10^-9Pa·m^3·s^-1、无任何约束条件下,A1SiC管壳升温至450℃.恒温90min,然后随炉冷却,密封环为铝合金的管壳明显变形,与有限元分析结果相符,而密封环为4J45的管壳基本朱变形。4J45密封环与铝合金扩散形成(Fe,Ni)Al3,但4J45密封环与A1SiC壳体间界面结合不紧密,导致A1SiC管壳漏率大于1×10^-8Pa·m^3·s^-1。