简介：TN21598063906短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响=Effectofshortwaveultravioletradiationonn—typeHg1-xCdxTedetector[刊,中]/史衍丽,陈铁金,冯文清（昆明物理所.云南,昆明（650223））,吴兴惠（云南大学物理系.云南,昆明（650091））//红外与毫米波学报.—1997,16（6）.—443—447

简介：TP333.42002053608超高密度信息存储/分子存储及其存储机理=Ultrahighdensitydatastorageandmolecularrecording[刊,中]/高鸿钧,时东霞,张昊旭,林晓(中科院物理所凝聚态物理中心.北京(100080))//物理.—2001,30(8).—453-455在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储。实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化。图3参10(李瑞

简介：O436.397052889薄型石英晶体半波片的制造=Manufactureofthinquartzcrystalhalf—wareplate[刊,中]/林建玉(上海交通大学应用物理系.上海(200030))∥光学仪器.—1996,18(5).—25—28介绍薄型石英晶体半波片的平面和侧面加工。该工艺操作简便、合格率高,是物理光学仪器上的关键零件,适用于各类波片的加工。图2参2(侯丽伟)

简介：

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：TM56497063896负非线性夹层式光开关原理=Principkofnegativenonlinearintercalationphotoswitch[刊,中]/高艳霞,贺渝龙,是度芳(华中理工大学物理系.湖北,武汉(430074))∥光学学报.—1997,17(2).—249—252

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简介：O436.397031480定向耦合器回路的各向异性=Anisotropismofthedirectionalcouplerloop[刊,中]/邱明新(上海市激光技术研究所.上海(200040))//光子学报.-1996,25(Z1).-95-98介绍一种良好的光纤起偏元件:定向耦合器回路,

简介：O438.12002053597计算全息图实现光学变换的计算机仿真=ComputersimulationofCGHrealizedopticaltransformation[刊,中]/张良(中国航空工业第613所.河南,洛阳(471009))//电光与控制.—2001,(1).—46-48讨论了计算全息图作为全息透镜以实现光学变换的

简介：TM56496042644光开关交叉角的上限和开关对数值孔径的影响=IntersectangleandnumericalapertureofTIRopticalswitch[刊,中]/康寿万(北方交通大学),董玉和(包头钢铁学院),庄婉如(中科院半导体所)∥半

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：运用四极质谱计对微光成像器件的制管工艺质量进行大量质谱分析监测,分清了各道工序污染对制管的影响。通过对制管工艺进行改进,使制管成品率提高了50%。

简介：TN2995010525双光斑交叉目标跟踪方法研究=Aninvestigationontargettrackingforcrosstargetimages[刊,中]/汪国有,张天序,彭嘉雄(华中理工大学图像识别与人工智能研究所)//华中理工大学学报.—1994,22(5).—50—54为了解决交叉目标跟踪中相关系数矩阵的多峰性引起的目标模糊对应问题,提高状态估计的精度,提出了一种通过估计双光斑交叉目标形状参数来辨别目标,进而完成目标状态估计的方法—ODAMCF

简介：TP333.42002010377DVD光学头读出物镜设计=Designofpick-upob-jectivelensesforDVD[刊,中]/郭培基,余景池,樊仲维(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022))∥光电子·激光.—2001,12(1).—4-6

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。

简介：TH141.996031921液晶显示的发展概况=Developmentofliquidcrystaldisplay[刊,中]/张云熙(中国北方光电工业总公司)//现代显示.-1995,(3).-26-28简介液晶的发展历史,日本液晶显示器的市场规模及液晶显示器的应用。表1参3(李瑞琴)TN14196031922多波形显示技术及其扩展=Multi-waveformscopetechnologyanditsexpand[刊,中]/应如艳(中国计量学院.浙江,杭州(310034))//中国计量学院学报.-1995,(1).-89-91提出了在通用示波器上同时显示多路数字信号

简介：TP333.42002021250准线性区光盘聚焦自动预搜索机制的研究=Investi-gationonautomaticsearchmechanisminquasi-linear-regionforopticaldiskfocusing[刊,中]/蔡忠平,徐端颐,潘龙法(清华大学光盘国家工程研究中心.北京(100084))∥光电工程.—2001,28(1).—16-18,26

简介：O647.31397010543气体吸附对SnO2/Si光电压的影响=EffectofthegasadsorptiononthephotovoltageofSnO2/Si[刊,中]/沈觊华,朱文章,吴孙桃,蔡玉霜（厦门大学.福建,厦门（361005））∥半导体光电.—1996,17

简介：提出一种矩阵算法,简洁地求出偏振器件的琼斯矩阵

简介：O462.396021313多碱光电阴极的红外响应=Infraredresponseofmultialkaliphotocathode[刊,中]/陈庆佑(无锡湖光仪器厂。江苏,无锡(244035))∥半导体光电。—1995,16(3)。—248—251多碱光电阴极的红外响应,对于改善夜视系统探测目标距离能力是一个重要的研究课题。从理论上阐