简介:2013年1月13日,由北京新创椿树整流器件有限公司研发的全压接800A/1700VIGBT项目通过了电力电子行业组织和主持的科技成果鉴定会,鉴定委员会认为该项目在国内首次设计了IGBT和FRED芯片精确定位的整体模架结构,首次设计使用了IGBT芯片精密栅极组件,研究开发了用钼片补偿IGBT和FRED芯片厚度不同的精密公差配合技术,首次采用全压接平板精密陶瓷外壳结构和真空充氮冷压焊密封等技术,开发出全压接平板IGBT产品。解决了焊接IGBT模块易产生焊接空洞、焊接材料的热疲劳、键合点的脱落和单面散热效率低下等难题,具有较强的抗冲击震动和耐疲劳的能力,可靠性高。技术创新点突出,已申请相关发明专利;样品经中国北车西安永电电气有限责任公司测试,符合项目承担单位产品技术条件的要求;样品经用户试用,满足使用要求。
简介:在转向无铅电子产品过程中,元件供应商可能需要支持无铅和合铅元件的双线生产。而这可能合在生产制造中引起广泛的后勤问题。全部使用无铅元件是这个问题的一个解决方法。因此,用锡铅共晶焊膏粘接的Sn-Ag—CuBGA元件的焊点可靠性需加讨论。在这篇论文中介绍了对两种无铅封装:超细间距BGA(VFBGA)和层叠式CSP(SCSP)的焊点可靠性评估结果,它们是应用锡铅共晶焊膏贴在PCB板上。而这些封装都是采用不同的回流曲线在标准的锡铅组装条件下组装的。采用合保温区或斜升区的热度曲线。回流峰值温度为208℃和222℃。组装后PCB(称为板级)进行温度循环(-40℃—125℃,每个循环30分钟)和落体实验。下面将会详细叙述失效分析。