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  • 简介:金属基板由于其良好的散热性及尺寸稳定性,一直受到业界的高度关注和重视,近年来更逐渐由单面向双面及高多层金属夹芯技术发展。本文就铝基夹芯盲埋孔制作工艺进行了可行性探讨,并通过真空压胶技术和铝基表面复合处理工艺有效解决了铝基结合力差及超厚铝基同心圆填胶困难等业界常见的技术难题,极大提升了品质良率,满足了客户的特种需求。

  • 标签: 铝基夹芯 同心圆设计 铝基表面复合处理工艺 真空压胶
  • 简介:随着线路板布线密度的提高,阻焊桥宽度的逐渐减小,阻焊前处理日益显示其重要的地位,线路板表面的前处理效果直接影响着阻焊的良品率。本文通过扫描电镜、金相显微镜和3M胶带拉力测试等分析方法,分别对针刷+不织布磨板、火山灰磨板,以及喷砂等几种前处理方式对阻焊桥板的效果进行了分析,并分别从无铅喷锡、化学沉镍金、化学沉锡等表面处理效果角度分析阻焊层受攻击程度,最终确定阻焊桥板制作的最佳前处理方式。

  • 标签: 线路板 前处理 阻焊桥 扫描电镜
  • 简介:当孔壁表面温度超过环氧树脂的玻璃化温度时,会产生一层薄的树脂钻污近年来ROSH标准的实施及对电子产品的要求提高,更高Tg板材的使用越来越多本文希望通过实验,为合理选用溶胀剂提供参考:

  • 标签: 溶胀剂 多层板 工艺 胶渣 环氧树脂 玻璃化温度
  • 简介:镀锡层具有抗腐蚀性、无毒性和可焊性,被广泛应用于印制板领域。文章概述了应用于PCB镀锡过程中的电镀锡工艺种类和添加剂的发展状况。对各种镀锡的工艺和特点进行了归纳、总结,指出未来电镀纯锡仍将占主导地位。介绍了不同添加剂在镀锡中的作用,指出添加剂将由单一型向多样型发展,并对添加剂的应用进行了展望。

  • 标签: 镀锡 添加剂 甲基磺酸 印制电路板
  • 简介:刚挠结合印制板综合了刚性板和挠性板各自的优点,在电子电路技术中得到了广泛的应用。其工艺实现上主要的关键技术是材料匹配技术、多层板层间对位技术、层间互连技术以及软板区防损技术。

  • 标签: 刚挠结合板 材料匹配 层间对位 层间互连
  • 简介:在降低成本的因素驱动下,微型钻头钻径的结构发生明显工艺变化。PCB微细槽钻加工工艺变更前采用的等径焊接工艺,变更后采用大小平焊。变更可行评估评价指标:焊接强度、对比孔位精度、批次测试孔位精度及孔粗,极限测试断刀及脱焊、磨损情况。

  • 标签: 降低成本 等径对焊式 大小平焊式 孔位精度 断刀及脱焊
  • 简介:IBM发表了新型绝缘体材料配方,号称能有效提升先进工艺芯片性能与良率。IBM近日在美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会(InternationalReliabilitvPhysicsSymposium,IRPS)上发表了新型绝缘体。

  • 标签: 芯片性能 绝缘体 IBM 工艺 材料配方 IEEE
  • 简介:PEDOT:PSS直接电镀工艺对传统工艺进行了改造。改造后的工艺不仅比传统工艺减少了四个环节,而且将分离的两个时空合二为一,这样就缩短处理时间,提高了生产效率,最后我们还分析了影响镀层的质量和沉积效率的因素,这些因素完全是定量可控的,它们是我们进一步优化工参数和提高镀层质量的理论根据。

  • 标签: 直接电镀工艺 导电机理 质量改善
  • 简介:Cadence与台积电12日联合宣布,用于新的CadenceVirtuoso客户设计平台的台积电90nm射频工艺设计套件(PDK)已经面世。这一90nmRF工艺设计套件是台积电一系列工艺设计套件之一,支持Cadence最新的用于模拟、混合信号和RF器件设计的Virtuoso平台。

  • 标签: CADENCE 工艺设计 设计工具 VIRTUOSO 设计平台 器件设计
  • 简介:文章通过选择合适的刮胶、设计树脂塞孔模板、优化刮印及固化参数,利用丝网印刷技术进行电路板树脂塞孔的制作技巧。通过应用这些技巧实现了0.15mm-0.60mm孔径范围内高厚径比孔的无空洞、无凹陷塞孔。并对这些技术进行了实验验证。

  • 标签: 高厚径比 多孔径 选择性树脂塞孔 塞孔模板 塞孔刮胶
  • 简介:近日,芯禾科技宣布其三维全波电磁场仿真软件IRIS已通过GLOBALFOUNDRIES的22FDX工艺技术认证。该认证能确保设计人员在IRIS中放心的使用GLOBALFOUNDRIES22FDXPDK工艺文件进行设计仿真。

  • 标签: 仿真软件 技术认证 工艺文件 科技 EM IRIS
  • 简介:AvagoTechnologies宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗,这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率,并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。

  • 标签: SERDES CMOS工艺 性能 串行 解串器 连接端口
  • 简介:中芯国际集成电路制造(SMIC)将从2009年1月正式启动32nm工艺技术的开发。开发得以启动的原因是美国政府批准向SMIC提供32nm工艺技术。在得到美国政府许可后,SMIC将在该公司拥有尖端技术的全部工厂启动32nm逻辑工艺的开发。并且,该公司还有可能从2009年1月开始,利用SMIC在武汉的300mm晶圆生产线,启动32nm工艺闪存的研究开发。SMIC在此前已经与美国Spansion就探讨制造32nm工艺的闪存达成了协议。

  • 标签: 技术开发 工艺 国际 SPANSION 集成电路制造 300MM晶圆
  • 简介:引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本,集成电路的特征尺寸不

  • 标签: 半导体器件 制造工艺 集成电路 微电子技术 CMOS器件 DS0I器件
  • 简介:介绍了一种任意层HDI板的制作工艺,针对该类板的制作难点进行分析并提出解决方法。以一种十层任意层HDI板的制作为范例,重点对该制作工艺的激光、线路和电镀等重要制程的控制参数、难点及注意事项进行了讲解,为同行各企业提高生产生产任意层HDI板的技术水平起到抛砖引玉的作用。

  • 标签: 任意层高密度互连板 激光 填孔电镀