学科分类
/ 25
500 个结果
  • 简介:伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

  • 标签: 闩锁 寄生BJT PNPN结构
  • 简介:设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试。此外,通过采用全波仿真软件HFSS,对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析。所设计的天线工作频带(|S11|≤-10dB)为74~117.6GHz,94GHz频点处的增益为1.35dBi。该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性,可实现天线与IC芯片的一体化片上集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要。

  • 标签: 毫米波 硅基片上天线 0.18μm互补金属氧化物半导体 宽带天线
  • 简介:基于普通CMOS工艺,设计了一款ARINC429总线接收器。电路可在3.3V、5V两种电源电压下工作,能够直接接收单路ARINC429总线差分信号输入,转化为数字高低电平输出,同时输出受使能信号控制。采用SMIC0.18μmHVLDMOS工艺流片,电路经测试验证,电参数达到设计要求,性能稳定可靠,实用性强,已应用于某航空通信显控系统中。

  • 标签: ARINC 429 基准电路 比较器
  • 简介:CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)是一种互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。在电脑中,CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片,用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设置。CMOS可以由主板电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOSRAM本身只是一块存储器,只有数据保存功能。而对BIOS中各项参数的设置要通过专门的程序。

  • 标签: CMOS 芯片制造 BIOS 数据保存 金属氧化物 集成电路
  • 简介:文章介绍了一款基于华润上华的0.5μmDPTMCMOS工艺的∑-ΔADC设计方法和实现过程。同时对∑-ΔADC实现的基本原理、过采样技术和噪声整形技术进行了论述。最后对其在具体的电路中的实现方法作了相应的探讨。

  • 标签: ∑-Δ ADC 过采样 噪声整形 调制器
  • 简介:低压差分信号(LVDS)是用于高速低功耗数据传输的一种非常理想的传输技术。由于使用全差分技术和低电压摆幅,LVDS技术达到高速度的同时消耗的功耗非常小。设计了一种具有Gbps发送速度的LVDS发送电路。通过在输出采用闭环控制模式,使得LVDS输出共模电平和电压幅值被控制在一个合理的范围内。基于SMIC0.18μmCMOS工艺模型,采用Hspice仿真器对整个发送电路进行模拟,结果表明所设计的发送电路具有4Gbps发送速度,功耗仅为18.6mW。

  • 标签: 发送电路 高速接口电路 低压差分信号
  • 简介:<正>为了防止病毒感染计算机房,一般不允许学生带自己的盘上机。要做到这一点,较好的办法是控制软盘驱动器的使用。去掉软驱硬接口,固然保险,但机房人员自己要用驱动器时,又要接上硬接口,不免麻烦,且经常插接,易损坏硬件,而改变cmos中对软盘的设置可方便地做到这一点。但目前对如何改变cmos口令方法,不少上机者已掌握,只要知道其中一种,就可对计算机的设置加以改变,从而造成大量病毒感染。

  • 标签: 病毒感染 报警 软盘驱动器 中断服务程序 计算机房 监视
  • 简介:佳能公司新开设了名为“TheWorldofCanonCMOSSensors”的专业网站,该网站从图像捕捉原因,生产工艺,全画幅表现及拍摄技巧等多个角度详细介绍了佳能的CMOS传感器。

  • 标签: CMOS传感器 佳能公司 网上 专业网站 World CANON
  • 简介:AvagoTechnologies宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗,这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率,并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。

  • 标签: SERDES CMOS工艺 性能 串行 解串器 连接端口
  • 简介:超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz~10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。

  • 标签: CMOS 超宽带 低噪声放大器
  • 简介:Lowpoweraddercircuits,SERF,10T-Ⅰ,10T-Ⅱ,10T-Ⅲandacomplementaryadder(28T)atphysicallayoutlevelareevaluated.Simulationsbasedontheextractedaddercircuitlayoutsareruntoassesshowvariouscircuitsetupscanimpactthespeedandpowerconsumption.Inaddition,impactsofoutputinvertersonthecircuitperformanceofmodifiedSERFand10Taddersduetothresholdlossproblemarealsoexamined.Differencesamongtheseaddersareaddressedandapplicationsoftheseaddersaresuggested.

  • 标签: CMOS 全加法器 28T加法器 电路图 评价
  • 简介:  如今的安防行业用瞬息万变来形容绝不为过,作为泛产业化的代表,安防已然体现出集大成者的姿态.  ……

  • 标签: 演绎王者 王者归来
  • 简介:Thispaperoptimizestheburiedchannelcharge-coupleddevice(BCCD)structurefabricatedbycomplementarymetaloxidesemiconductor(CMOS)technology.TheoptimizedBCCDhasadvantagesoflownoise,highintegrationandhighimagequality.Thechargetransferprocessshowsthatinterfacetraps,weakfringingfieldsandpotentialwellbetweenadjacentgatesallcausethedecreaseofchargetransferefficiency(CTE).CTEandwellcapacityaresimulatedwithdifferentoperatingvoltagesandgapsizes.CTEcanachieve99.999%andthewellcapacityreachesupto25000electronsforthegapsizeof130nmandthemaximumoperatingvoltageof3V.

  • 标签: CMOS工艺 优化设计 BCCD 互补金属氧化物半导体 电荷耦合装置 热膨胀系数
  • 简介:半导体技术得到进一步发展的同时,图像传感器的种类也更多。本文将近距离关注该技术的发展动向,包括谁在研发、推动,未来的发展动向和如何应用于安防行业,以及该技术在获取较大图片时的重要性。

  • 标签: CMOS CCD 半导体技术 图像传感器 安防行业 近距离
  • 简介:随着电子产业的技术进步和发展,光割技术及其应用已经远远超出了传统意义上的范畴,CMOS光刻市场几乎包括和覆盖了所有微细图形的传递、微细图形的加工和微细图形的形成过程。因此,未来光刻。技术的发展也是多元化的,应用领域的不同会有所不同。

  • 标签: 市场发展 CMOS 应用 光刻 技术进步 微细图形
  • 简介:设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-ControlledOscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronicsCMOS90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。

  • 标签: 数字压控振荡器 CMOS反相器 环形振荡器 低噪音设计