简介：O4382005021197FDTD方法对固体浸没透镜的光场分析=AnalysisoftheopticalfieldofsolidimmersionlensbyFDTD[刊,中]／张东玲(河南大学物理与信息光电子学院．河南,开封(475001)),白永林…//光子学报．-2004,33(7).-884-888采用二维时域有限差分(2D-FDTD)方法研究了高斯光束通过固体浸没透镜(SIL)的光场分布特性。模拟结果

简介：O461．212005042978微空心阴极放电与准分子光源=Microhollowcathodedis-chargeandexcimerlightsource[刊,中]／江超(华中科技大学激光技术国家重点实验室．湖北,武汉(430074)),王又青／／量子电子学报,-2005,22(2),-142,149综述了微空心阴极放电的基本原理;详细论述了微空心阴极放电中的准分子辐射,以及微空心阴极放电的放电方式(直流放电、脉冲放电、射频放电)对准分子辐射强度和效率的影响。最后论述了微空心阴极放电的运行方式(串联运行、并联运行)对准分子辐射的影响。图13表1参21(王淑平)

简介：简要介绍了真空电子器件辐射原理和数值模拟方法,给出了粒子模拟方法的研究进展.讨论了真空电子太赫兹源器件的特点及其对数值模拟方法的要求.给出了高功率微波源和太赫兹源器件的数值模拟算例.提出了用于真空电子源器件模拟的PIC方法的未来技术发展,包括动量能量守恒的粒子模拟方法、精确的几何和物理建模、阴极发射模型、有耗介质的处理和基于全局优化的器件设计方法等.

简介：纳米尺寸电子系统的研究与单电子库仑阻挡（COULOMBBLOCKADE）结构，单电子三极管，分子开关的实现和应用有着十分密切的关系．近年来关于纳米系统电流传输性质的研究引起了越来越多的关注．曾经普遍应用的LANDAU-DFT方法计算出的电流与实验结果相差几个量级，

简介：O441．42005042976太赫兹(THz)成像的进展概况=ReviewoftheprogressofT-rayimaging[刊,中]／张蕾(首都师范大学物理系,北京(100037)),徐新龙…／／量子电子学报,-2005,22(2),-129-134评述了太赫兹射线成像的进展情况。太赫兹(THz)辐射介于微波和红外之间。与微波、X射线、核磁共振(NMR)成像相比,太赫兹成像不仅能给出物体的密度信息,而且能给出频率域的信息,以及在光频、微波和X射线范围内所不能给出的材料的转动、振动信息。太赫兹射线与其他频段的电磁波相比,它能量低,不会造成对生物样

简介：TP212.122004053741一种新型颜色传感器的设计=Designonanewcolorsensor[刊,中]/陈家胜(南京师范大学物科院,江苏省光电技术重点实验室。江苏,南京(210097)),罗小彬…∥传感技术学报。—2003,16(4),—467-470介绍一种采用脉冲光源照明、双光纤束导光的新型

简介：【本节需学习的内容】通过实验活动理解串联、并联电路的基本特点和作用，能够看懂、会画电路图，了解串联、并联在生活中的应用．

简介：【本节需学习的内容】认识串联、并联电路，通过实验认识串联、并联电路的基本特点，能够看懂、会画简单的电路图，初步了解串联、并联在生活电路中的应用．

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：综合论述了基于碳化硅（SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SC超级门极可关断晶闸管（supergateturn-offthyristor,SGTO)的研究进展，总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管（emitterturn-offthyristor，ETO)的开通过程。结果表明，开通dl/R可以在一定条件下受控，以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求，实验获得最大功率密度为329kW*cm_2。建立了SiC反向开关晶体管（reverselyswitcTeddynistor，RSD)二维数值模型，论证了开通原理的可行性，热电耦合模型以SiC本征温度为依据据，SiCRSD的功率密度达MWvm^量级。

简介：2013年光器件和模块的市场报告数据有喜也有忧。一些市场板块2013年几乎翻番，但是别的板块减少了三分之一。

简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：一、教学目标1．知识与技能（1）知道什么是串联和并联电路，会画简单的串、并联电路图；（2）通过连接简单的串联电路和并联电路，学会连接简单串、并联电路的方法，同时尽可能让学生动手设计一些有应用价值的串、并联电路。初步培养学生的电学实验操作技能．能说出生活、生产中采用简单串联或并联的实例。

简介：由于直线感应加速器束输运系统磁场准直偏差和束脉冲期间所引起的束流Corkscrew运动是导致发射度增长的重要原因之一，因而提高磁场准直精度是抑制和减小Corkscrew振幅的重要措施。机械轴的精密对中是磁轴准直及磁场误差校正的基础。

简介：电子元件有线性和非线性两种,它们在电路中起不同的作用。而非线性电子元件的功率问题是实际电路应用中必须考虑的问题。在中学物理教学中,该问题也是高考与竞赛的热点。具体电路中电子元件连接方式不同,解决方法有所不一样,这对学生能力的要求比较高,本文就如何快速识别并正确解题作些有益的探讨。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.