简介：MOCVD是一种生长或外延薄膜的技术。将光引入外延过程，利用光的量子性，使反应的物理和化学过程得到促进，进而发展了一种新的化合物半导体薄膜制备技术，即光诱导MOCVD技术。本文综合分析了该技术的基本原理、实验装置、光源的分类和选择及该技术的实践应用，介绍了反应室结构的开发设计及光源的新进展。

简介：１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＩｎＡｓＳｂａｎｄＡｌＧａＡｓＳｂｑｕａｔｅｒｎａｒｙａｌｏｙｓｍａｔｃｈｅｄｔｏＧａＳｂｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｈａｖｅａｇｒｅａｔｐｏｔｅｎｔｉａｌｉｔｙｆｏｒｌｏｎｇｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒ...

简介：WhenweuseMOCVDtechnique,anexcellentCdTeepi-layerwasgrownonGaAssubstratesandtheCdTe/GaAshybridsubstratessuitableforgrowingHg1-xCdxTe（CMT）wereobtained.ThexvalueinCMTisbetween0.2and0.8.TheelectricalpropertiesofCMTdependuponthethicknessofCdTeepi-layers.TheCdTe/GaAsinterfacewasexaminedbybothscanningelectronmicroscope（SEM）andelectronaugerspectra（EAS）.TheinfluenceofdefectsobservedatinterfaceonelectricalandopticalpropertiesofCMTfihnswasdis-cussed.

简介：客栈和In0.46Ga0.54N电影在蓝宝石上被种与一轧了缓冲区bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)。两高分辨率X光衍射和高分辨率传播电子显微镜学结果表明这些电影有单个水晶的六角形的结构。薄客栈电影有475厘米(2)的高活动性V(-1)s(-1)和In0.46Ga0.54N的是163厘米(2)V(-1)s(-1)。InNfilm的房间温度光致发光测量在0.72eV显示出一座山峰，证实一部高质量的客栈电影为到完整的光谱房间的应用被制作。

简介：High-strainInGaAs/GaAsquantumwells(QWs)aregrownbylow-pressuremetal-organicchemicalvapordeposition(LP-MOCVD).Photoluminescence(PL)atroomtemperatureisappliedforevaluationoftheopticalproperty.Theinfluenceofgrowthtemperature,V/IIIratio,andgrowthrateonPLcharacteristicareinvestigated.ItisfoundthatthegrowthtemperatureandV/IIIratiohavestrongeffectsonthepeakwavelengthandPLintensity.Thefull-widthathalf-maximum(FWHM)ofPLpeakincreaseswithhighergrowthrateofInGaAslayer.TheFWHMofthePLpeaklocatedat1039nmis20.1meV,whichgrowsat600°CwithV/IIIratioof42.7andgrowthrateof0.96mm/h.

简介：

简介：GaxIn1-xAs1-ySbyalloyshavebeengrownbyatmosphericpressureMOCVDonn-GaSb（Te-doped）substrate.Thesohdcompositionwasdeterminedbyusingelectronmicroprobe.ThealloysofGalnAsSbwithcompositioninmiscibilitygapweresuccessfullygrown.TheopticalpropertiesofGaxIn1-xAs1-ySbylaverswerecharacterizedbythephotoluminescenceandtheinfraredabsorption.Thespectralresponsesofp+-GaInAsSb/p-GaxIn1-xAs1-ySby/n-GaSbdetectorsshowedwavelengthcutoffat2.4μmanddetectivity-D*=5×108cmHz1/2/Watroomtemperature.

简介：Zinctinoxide(ZTO)thinfilms,withzincacetateandtributyltinchlorideasrawmaterials,weredepositedonglasssubstratesbythemethodofmetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD).Thecrystallization,microstructureandopticalpropertieswereinvestigatedbyscanningelectronicmicroscope(SEM),X-raydiffraction(XRD)andultraviolet-visible(UV-Vis)spectrophotometer.TheresultsshowthatwiththeincreaseinSn/Znratio,thecrystalchangesfromwurtzitetorutilephase.Whentheratioreaches11:18,theintensityofZn_2SnO_4peaksappearstobethestrongestandtheopticalbandgapisabout3.27eV.Calculatedbytheenvelopemethod,thethicknessoftheZTOthinfilmsis713.24nm.MeasuredbyUV-Visspectrophotometer,thetransmittanceoftheZTOthinfilmsreachesupto80%inthewavelengthrangeof400-1000nmwhentheSn/Znratiois7:18.

简介：有为由感应的加热的一个垂直metalorganic化学药品蒸汽免职反应堆的一条戒指隧道的susceptor结构被建议。因此，热传导的方向由隧道被改变，并且隧道在susceptor做热再分配。在这susceptor的热转移的模式也被分析。另外，在susceptor的隧道的地点和尺寸用有限元素方法被优化。比较在之间优化并且常规susceptor表演优化susceptor不仅在晶片提高加热效率而且温度分发的一致性，它贡献改进电影生长的质量。[从作者抽象]

简介：Theprogramprocessofthelongitudinalimpurityprofileintroducedinthequantumwell(QW)laserandmicrowaveelectronicmaterialsinanalysed,basedonthegrowthsystembymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)andmicrowaveelectronicmaterialsandchloridevaporphaseepitaxy(VPE).Thequantitativesolutionofthefinallongitudinaldirectionimpuritydistributionusingthemathematicalphysicsmodelofimpuritycarrier-gastransportdriftandrediffusioningrowthprocesswascarriedout.Atechnologyforgivingareferencetogrownimputityprofileofabruptdopinganduniformlongitudinaldirectionbasedonthetheoryispresented.

简介：TheMOCVDgrowthofmodifiedAlAs/GaAsdoublebarrierresonanttunnelingdiodes(DBRTD)withanA1GaAschairwasreported.Theresonancestothefirstexcitedstateswereobtained.Thepeak-to-valleycur-rentratio(PVCR)is1.3at77K,roomtemperaturepeakcurrentdensityis8kA/cm~2.Theresonancevoltagesareinagreementwiththetheoreticalapproachbytransfer-matrixmethod.Influenceofinterruptedgrowthtimeatthehetero-interfaceandincorporationoftheAlGaAschairtothedeviceperformanceswerestudiedandthemechanismwasdiscussed.TheattempttoaddanAlGaAschairtotheDBRTDbyMOCVDresultedinimprovementinthePVCRandpeakcurrentdensity.

简介：

简介：我们在场一个样品栅栏的整体的集成散布了布拉格有由联合的一个量井electroabsorption调节的人(QW电动会计记帐机)的反射镜(SG-DBR)激光极端低压(55mbar)selective-area-growth(下垂)金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD)和使混合的量井(QWI)第一次。QW电动会计记帐机和获得节能被使用同时种下垂MOCVD技术。同时，QWI技术提供在二功能的节之间的一个突然的乐队差距变化，它减少内部吸收损失。试验性的结果证明阀值电流Ith=62妈，和产量功率到达3.6mW。调节范围封面30nm的波长，和所有相应方面模式抑制比率是超过30dB。在可得到的波长隧道的扑灭比率能与-5V的偏爱到达超过14dB。[从作者抽象]

简介：“法碣”、“法谒”与“法偈”这三个“词语”，商务印书馆的《现代汉语词典》（2005年6月第5版，2008年6月河北第384次印刷）和《古代汉语词典》（1998年12月第1版，2008年4月北京第21次印刷）均未收录。之所以提起它们，跟下面这道2008年普通高等学校招生全国统一考试（重庆卷）的语文题目有关。这是道改错别字的题，题目如下：

简介：1．6个人排成一排，甲、乙二人必须相邻的排法有种．2．用1，2，3，4，5，6，7，8组成没有重复数字的八位数，其中1与2相邻、3与4相邻、5与6相邻、7与8不相邻的八位数共有多少个？3．某道路旁有10盏路灯，为节约用电，准备关掉其中3盏．已知两端的路灯不能关，并且关掉的灯不能相邻，则有多少种不同的关灯方法？

简介：搞社会主义市场经济,企业家们在经营管理中都面临一系列的新情况、新问题。如何提高自身的素质和能力,不断地把经营管理工作提高到一个新水平,这是企业领导人不能不考虑的一个重要问题。哲学是管理行为的一个组成部分,一个核心部分,不少的企业家看到了提高自身哲学素养的重要性。他们自觉地学习、应用唯物辩证法,增强了观察、分析、处理问题的能力,在经营管理中取得了很好的成绩。天津市圣罗衬衫总厂厂长吴树旺就是生动的例证。同时,广大的理论工作者也始终关注着经济建设的这个中心。当前企业的经营管理问题是哲学界非常关心的问题之一,愿企业界朋友和哲学专家们携起手来,让哲学在群众中、在实践中,焕发出更强的生命力。

简介：2004年是中国法治建设中非常重要的一年。有着55年历史的法大及法大人,在推进中国法治进程和法学教育的过程中,任重道远。

简介：许多同学谈到写作文，就说没有内容可写。其实，作文是把自己看到的、听到的、想到的内容或亲身经历的事情用恰当的语言表达出来，它是源于生活的。如果我们平时注意观察、感受生活中的点点滴滴，那么，还会愁写作文没有题材吗？

简介：

简介：我觉得在解决分数问题的教学中应强调算术法与方程法并重，使其相辅相成。当学生对用算术法求一个数的几分之几是多少的问题已经掌握时．再转到学习“已知一个数的几分之几是多少，求这个数”的问题，先逐步出现方程法。并在学生熟悉方程法后，再去沟通方程法与算术法的联系，然后让学生选择喜欢的解法。这样处理对学生的思维发展和今后中学数学的学习也会有帮助。现以最常见的分数问题为例激谈本人在教学中的一些做法。