简介：摘要本文从埚转、等径功率、投料量等几个方面论述了直拉硅单晶中氧含量的控制方法，通过工艺调整，降低硅单晶的氧含量，改善晶体品质。

简介：摘要本文主要针对直拉硅单晶生长过程进行分析，简述了直拉硅单晶生长过程的数学模型，进而分析了如何更好的控制直拉硅单晶生长的过程，针对其缺陷进行了探讨，提出了控制的方法。

简介：摘要：随着半导体技术的发展，大直径硅单晶是不可避免的，但是生长 6英寸或更大直径 的区熔 硅单晶极为困难。而且该技术国外对我国进行了严格的技术封锁，为打破这种局面，国内的大直径区熔硅单晶的自主研发势在必行。

简介：摘要由于磷元素具有较强的挥发性，作为掺杂剂掺入硅熔体后的全部过程都在大量挥发，尤其是重掺磷超低阻单晶的拉制，不仅掺杂效率低，并且挥发剂量受拉晶时间影响较大，所以在电阻率控制的准确度方面存在非常大的困难。本文主要通过对重掺磷单晶生长过程中的杂质掺杂方式和轴向电阻率控制等技术的研究，实现对重掺磷直拉硅单晶电阻率的有效控制。

简介：摘要直拉（CZ）单晶硅生长炉是目前世界上最主要的单晶硅生产设备，制约单晶炉生产效率提升的关键因素之一是投料量。现装料方式通过强化训练人工技能使每次坩埚投料量尽量增大，但是随之而来的问题是当投料量增大时硅料势必在坩埚内更加紧密的排列，形成搭桥、塌料导致坩埚破裂、硅料掉出石英坩埚的几率随之上升，24寸热场一次投料量只能达到170KG。随着二次加料技术应用单炉投料量达到了290KG，真正达到了降本增效的目的。

简介：摘要：直拉硅单晶生产是一项复杂的工艺，其中可能会出现各种问题。解决这些问题对于确保生产质量和效率至关重要。在本文中，将介绍直拉硅单晶生产过程中常见的问题，并提供相应的解决方法。

简介：单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大，产生大量的高次谐波电流，污染电网，危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案，改变了大多数厂家采取传统的L—C滤波器进行治理谐波的思路，避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象，从而对公司产生了良好的经济与社会效益。

简介：<正>在关于硅材料先进科学和工艺的第三届国际会议上,日本超级硅研究所(SSI—SupersiliconcrystalResearchInstitute)发布了迄今最先进的直径400mm(16英寸)硅单晶片制造工艺。SSI是日本于1996年组建的、有日本政府财政支持的旨在进行400mm硅单晶生长和晶片加工研究开发的集团。组建时,SSI的官员曾预料,2008年开始使用400mm硅片,但在这次会议上,他们认为要到2014年才会开始使用。SSI的权威人士称,他们已开发出

简介：摘要在单晶硅的生长过程中，通过调整单晶生长的V/G比值，控制单晶微缺陷的分布。

简介：<正>由北京有色金属研究总院承担的"直径200mm硅单晶抛光片高技术产业化示范工程"项目2003年12月19日通过国家验收。该项目是北京有色金属研究总院利用自主知识产权技术,集几十年来在硅材料领域的研究成果和产业化经验,在8英寸硅单晶抛光片技术开发和5英寸、6英寸硅单晶抛光片产业化技术基础上,进一步提高产业化水平,形成了年产8英寸硅单晶抛光片6000万平方英寸的生产能力的生产线。也是我国目前建设成功的第一条可满足0.25μm线宽集成电路需求的8英寸硅单晶抛光片生产线。

简介：为了了解硅单晶Czochratski（Cz）法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响，利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟，假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流，熔体为不可压缩流体．Cz炉外壁温度维持恒定。结果表明：熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响，而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小。

简介：摘要：碳化硅单晶材料具有优异的物理和化学性质，成为了众多高科技领域的重要材料。同时，在碳化硅单晶材料生产和应用过程中，残余应力的存在极大地影响了材料的性能和寿命。在碳化硅单晶材料的制备和应用过程中，残余应力的检测和分析是一个重要的环节。本文对于多种残余应力检测技术进行了介绍和比较，旨在为碳化硅单晶材料的生产和应用提供参考，促进相关技术的研究和发展。

简介：北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应

简介：摘要以骨架粉末铸造碳化钨和粘结金属镍粉为原材料，采用粉末冶金无压熔渗方法制备PDC钻头胎体。通过检测材料的抗弯强度、冲击韧性等性能，评价不同镍含量对单一骨架粉末胎体性能的影响。通过金相、SEM等分析手段研究镍含量对胎体相成份和微观结构的影响。结果表明，随着镍含量的增加，冲击韧性、抗弯强度均呈现波动性；当镍含量在2%时，性能呈最佳状态，抗弯强度达到960Mpa，冲击韧性达到3.62J/cm2；在一定的熔渗工艺下，随着镍含量的增加，降低了骨架粉末与粘结金属的结合强度，样块断裂面为脆性断裂，从而影响胎体性能。

简介：摘要：以硅单晶生长系统集成与控制研究中具体工程问题为导向，研究课堂教学与科研的深度融合，使学生对所学习的理论知识进行拓展，从而培养学生分析问题的能力，训练学生的思考能力。

简介：摘要：碳化硅单晶材料是一种重要的半导体材料，广泛用于功率器件、光电器件、高温传感器等领域。随着半导体材料需求的不断增加，碳化硅单晶的切片技术也在不断发展。本文主要介绍了碳化硅单晶衬底加工技术中涉及的切片、薄化、抛光等技术的现状及发展趋势。其中，切片技术分为传统机械法和先进的切割技术，而其切片质量主要由晶体结构、切割机器和切割参数等因素决定。在薄化过程中，化学薄化技术逐渐取代传统机械薄化技术成为主流，而对薄化效果的影响因素则主要包括初始厚度、薄化介质和薄化条件等方面。最后，抛光技术可分为机械式轮盘 CMP 机和悬浮 CMP 机等，而其抛光质量则受制于抛光液配方、抛光参数和抛光机器设备等方面。

简介：<正>我国首条可满足0.25μm线宽IC需求的200mm(8英寸)硅单晶抛光片生产线——硅单晶抛光片高技术产业化示范工程日前通过整体验收。业内人士认为,200mm硅单晶抛光片示范工程项目,可在一定程度上满足

简介：<正>浙江大学硅材料国家重点实验室传来消息,该实验室不久前成功"拉"出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材料,随着信息微电子产业的

简介：FBE是一种重要的热固性重防腐环氧粉末涂料。文章详细介绍了FBE的类型、防腐机理、使用特点、施工工艺、涂层结构、影响因素以及在管道防腐涂装中的重要作用和发展趋势。

简介：摘要：Ａ３５６铝合金具有密度小、成形性能和耐蚀性能优异等特点，在汽车轻量化领域具有重要的应用价值。由于铝熔体具有吸氢特性，在熔炼和铸造生产过程中易与空气中的水汽反应，使熔体氢含量增加。氢在液态铝中的溶解度约为其在固态铝中的１９．１倍，凝固过程中多余的氢会以气体形式析出形成针孔、气孔等缺陷，致使铸件表面粗糙度增加，铸造性能和使用性能变差。因此，为获得高品质的铝合金铸件，必须对铝熔体中的氢含量加以严格控制。