简介：单晶炉在硅料熔化过程中谐波含量很大，产生大量的高次谐波电流，污染电网，危害用电设备。本文阐述了采用晶闸管投切集中滤波补偿系统及单晶炉就地5次谐波滤波柜对单晶炉供电系统进行动态谐波治理及无功补偿的技术方案，改变了大多数厂家采取传统的L—C滤波器进行治理谐波的思路，避免了发生滤波器谐波过载及各单晶炉间电气设备产生串、并联谐振现象，从而对公司产生了良好的经济与社会效益。

简介：摘要：单晶炉会在以氩气为主的惰性气体环境中进行原料加热，之后进行单晶硅的生产，所以单晶炉的稳定性，将会直接影响其生产质量。现阶段，单晶炉的工艺控制技术和自动化程度已经得到很大提升。本文探讨对单晶炉设计的优化手段，综合其结构特征进行分析，然后从不同角度讨论如何开展设计优化工作。希望通过研究可以改进单晶炉的设计，提升单晶炉设备的整体性能。

简介：【摘要】 虽然目前生产硅单晶的工艺种类繁多，但大多数硅单晶的生长都需要在充有惰性气体的密闭炉室内进行。

简介：本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分：1、回顾；2、技术关键；3、展望。

简介：摘要：除锈质量直接影响到喷涂的效果和质量,影响构件的使用寿命，本文介绍的喷砂除锈装置通过结构优化设计，既提高了除锈效率，又保证了除锈效果。

简介：中文摘要：提高除尘器效率

简介：摘要目前电子信息技术以及光伏技术飞速发展，而作为此类技术的基础材料，硅发挥了重要作用。从某些角度分析，硅（Si）影响了未来科技的发展，是高薪技术进步的基础，因此国家想要发展自身在能源领域以及高新技术领域实力，必须将Si作为战略资源。作为功能性材料，Si具有各项异性，所以将Si应用于半导体材料需要将其制成硅单晶，并进一步将其加工成为抛光片。这样才能将Si应用于CI器件的制造中，目前所生产的电子元件中89%以上的均使用硅单晶。

简介：摘要在电子半导体器件制造中，单晶硅的氧浓度会严重影响单晶硅产品的性能，也是单晶硅生长过程中较难控制的环节。本文介绍了直拉单晶法中氧杂质的来源、对单晶硅的影响以及氧浓度的控制方法。

简介：本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。

简介：摘要本文主要针对直拉硅单晶生长过程进行分析，简述了直拉硅单晶生长过程的数学模型，进而分析了如何更好的控制直拉硅单晶生长的过程，针对其缺陷进行了探讨，提出了控制的方法。

简介：为了了解硅单晶Czochratski（Cz）法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响，利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟，假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流，熔体为不可压缩流体．Cz炉外壁温度维持恒定。结果表明：熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响，而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小。

简介：摘要：蓝宝石晶体已成为当今最重要的晶体材料之一，综合性能优良，广泛应用于各种领域。本文综述了蓝宝石的新用途，并简要介绍了蓝宝石生长的主要方法以及不同制备方法的应用条件。介绍了我国蓝宝石晶体的主要制造商和生长方法，最后提出了优化蓝宝石晶体工业增长的措施。

简介：

简介：摘要：本文针对现有的圆柱腔MPCVD设备，利用有限元电磁仿真软件，进行了电场分布仿真设计，优化了圆柱腔的结构，从而获得更为扁平的等离子体激发电场，来激发扁平的等离子体火球，增大生长面积，提升设备的生长效率。针对工业单晶金刚石刀具，优化了生长工艺。探索了甲烷浓度、生长温度、氮气浓度等因素对于工业级单晶金刚石生长的影响。最后我们选取了最优化参数，对所生长的样品进行了材料性能表征，拉曼图谱显示谱峰在1332.5cm-1附近，其半高宽为3.08cm-1，结果表明所制备的单晶金刚石具有良好的结晶性。

简介：9月下旬，北京京运通科技股份有限公司成功开发出6英寸区熔单晶炉设备。采用该国产设备已连续成功拉制出6英寸区熔单晶。

简介：摘要：以硅单晶生长系统集成与控制研究中具体工程问题为导向，研究课堂教学与科研的深度融合，使学生对所学习的理论知识进行拓展，从而培养学生分析问题的能力，训练学生的思考能力。

简介：福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下，以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象，通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小，实现了CO，结构基团共面平行排列，获得了一系列非线性光学效应为3～4倍KDP的系列碳酸盐晶体

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

简介：摘要：机架作为大型晶体生长炉的支撑，对其质量要求也较高，而在对钢管进行定位钻孔的过程中，如果出现定位偏差、不够精准，最终会影响机架的质量，因此本文对其加工方法进行了改进，尤其是对钻孔位置定位精准，保证了机架的质量，且自动化操作，提高了工作效率。