简介:摘要半导体器件在测试结壳热阻之前都要先确定其K系数,一般选择器件内部二极管的正向压降作为温度敏感参数(TSP)。现行有效的测试标准中,只是规定正向压降测试电流IM必须足够大,以保证PN结导通,但不能大到足以引起明显自热,这对实际的操作选择很困难。本文通过MOSFET和肖特基二极管作为研究对象,在不同的IM下测试K曲线进行分析,得出便于操作的方法。
简介:摘要对国际上公认的两种半导体器件结壳热阻测试方法美军标MIL-STD-750F和JEDEC标准进行对比测试研究。通过双极性晶体管和MOSFET两种不同类型的器件,用Phase12进行实测,得到了不同方法下的热阻值与曲线。分析了两种测试方法原理及测试结果的差异,科研生产提供参考。
简介:半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。