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半导体器件两种结壳热阻测试方法对比研究

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摘要摘要对国际上公认的两种半导体器件结壳热阻测试方法美军标MIL-STD-750F和JEDEC标准进行对比测试研究。通过双极性晶体管和MOSFET两种不同类型的器件，用Phase12进行实测，得到了不同方法下的热阻值与曲线。分析了两种测试方法原理及测试结果的差异，科研生产提供参考。

DOI 0dpr6g9oj2/3383545

作者李飞安海华

机构地区西安卫光科技有限公司陕西西安710065

出处《基层建设》 2018年27期

关键词一维传热 NMOSFET 结壳热阻Rthj-c K系数温度敏感参数TSP

分类 [建筑科学][建筑设计及理论]

出版日期 2018年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）