半导体器件结壳热阻测试校准系数电流的选择研究

摘要半导体器件在测试结壳热阻之前都要先确定其K系数，一般选择器件内部二极管的正向压降作为温度敏感参数（TSP）。现行有效的测试标准中，只是规定正向压降测试电流IM必须足够大，以保证PN结导通，但不能大到足以引起明显自热，这对实际的操作选择很困难。本文通过MOSFET和肖特基二极管作为研究对象，在不同的IM下测试K曲线进行分析，得出便于操作的方法。

• 作者: 李飞田晓晨
• 出处: 《基层建设》 2018年27期
• 关键词: 温度敏感参数（TSP） MOSFET PN结
• 分类: [建筑科学][建筑设计及理论]