简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：

简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：友达光电近日宣布，在欧陆中心斯洛伐克共和国成立友达光电（斯洛伐克）有限公司，以就近服务欧洲客户。规划自2010年起将投资超过1．9亿欧元，负责液晶面板后段模块制造、组装及销售。友达光电董事长李焜耀表示，欧洲为液晶电视产品的主要市场之一，友达积极布局目的是为客户提供更直接且实时的服务，强化全球布局与贴近客户是投资的主要考虑。

简介：克利夫兰的SIFCO工业公司停止了它的涡轮器件服务和修复业务，包括关闭它在明尼阿波利斯的工厂。修复业务据称战略上不符合公司核心打造业务。SIFCO生产的产品主要用在航空和能源工业，并提供多种金属加工服务包括锻造，热处理，涂层和机加工。

简介：研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响，探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明，几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数，对种子的发芽产生了明显影响，在生产中可进一步试验推广应用。

简介：介绍了纳米电子学的基本概念及其＂自上而下＂和＂自下而上＂的发展路线,分析概括了纳米电子器件的基本物理原理及其应用,基于纳电子器件的实际应用价值,阐述了研究纳电子学的现实意义,总结了纳米电子学目前存在的问题及今后的发展趋势。

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简介：根据变频空调器的特性,本文介绍变频空调器的工作循环以及变频器件的主要特点,提出了频率、电压、能效比等之间的联系.

简介：3月26日，玉林市龙潭产业园的广西地大集团LED光电生产基地项目正式开工建设。该项目用地面积9．33hm2，总投资1．5亿元，分3期建设。按计划，第一期将于2010年底建成并投产。

简介：据报道，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

简介：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜，利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究，对透过率和电阻率进行了分析，结果表明，采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知，气体总压对透过率影响最大；硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa，硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％，电阻率为13．238kΩ·cm。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：以二水乙酸锌为原料，乙二醇甲醚和无水乙醇为溶剂，乙醇胺为稳定剂，六水合氯化铝为掺杂剂，合成AZO前驱液，采用自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜，用XRD、UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备AZO薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、Al3＋／Zn2＋浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间10min、预处理温度450℃、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5cm／min、预处理时间为10min、550℃退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块电阻为536Ω／□。

简介：蓝、白光片式LED器件是当今半导体光源的宠儿,用作移动通信工具的显示光源更是一种时尚。自从1992年第1只氮化镓(GaN)基蓝色发光二极管问世后,其寿命和可靠性一直被世人所关注。GaNLED行业由于美、日等国的疯狂投入,其发展之迅速、成果之惊人,众所周知。我国在这方面做了大量的工作,取得了巨大的进展。早在20世纪90年代末,传统封装的蓝光器件已形成大规模生产,白光LED也已形成产业,工艺已基本成熟。

简介：通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。

简介：氢是一种热值很高的清洁能源，其完全燃烧的产物-水不会给环境带来任何污染，而且放热量是相同质量汽油的2．7倍。因而开发低能耗高效的氢气生产方法，已成为国内外众多科学家共同关注的问题。

简介：美国几所大学的研究人员合作开发出一种热光电系统，有望将太阳能电池的转换效率提高到80％。该研究成果发表在10月16日出版的《自然·通讯》杂志上。

简介：光电化学刻蚀出多孔硅（PS）用含有SnCl2、SbCl3和Ce（NO3）3的乙醇溶液浸泡后，经过400℃10min热处理，表面形成Ce—Sb共掺的SnO2光透导电薄层（TOCL）。在TOCL的表面组装含有胆固醇分子的十二烷基硫醇薄膜，萃取其中的胆固醇分子后形成筛孔分子印迹电极（SHE）。该电极与不同浓度的胆固醇乙醇溶液作用后，光电化学方法袁征了分子印迹电极对胆固醇浓度响应特性。实验结果表明分子印迹电极与吸附胆固醇的浓度具有较好的关联。特别指出的是，该筛孔分子印迹电极有望在不需要掺比电极以及零偏电压条件下实现对胆固醇的检测。