简介：摘要：为发挥石墨结构件更高的应用价值，针对LED光电器件中石墨结构件的应用展开研究，通过石墨构件的制备与转移、建立石墨烯与LED光电器件接触隧道、LED光电器件水平式与垂直式衔接，完成本次研究。通过实例应用的方式，证明在LED光电器件当中应用石墨结构能够提高器件响应度，起到促进器件应用性能提升的作用。

简介：综述了基于有机聚合物热光效应的各种光电器件的研究进展,重点介绍了聚合物热光开关和聚合物热光衰减器的发展状况、技术特点和发展趋势,并提出了一种新的利用有机聚合物热光效应研制非制冷热成像器件的热探测机制.

简介：TN386.5//TB852.12002010520科学级CCD相机像元不一致特性及其校正研究=Nonuniformityofpixelsanditscorrectionforscian-tificgradeCCD[刊,中]/陈树越,路宏年(华北工学院.山西,太原(030051),张丕壮,杨巧宁(北京航空航天大学.北京(100000))∥兵工学报.—2001,22(2).—226-229

简介：TN2562004064289氧化多孔硅周期性波导光栅耦合器的实验研究=Gratingcouplerofoxidizedporoussilicon[刊,中]/贾振红(新疆大学信息科学与工程学院.新疆,乌鲁木齐(830046)),涂楚辙…∥光电子·激光.—2004,15(5).—534-536报道了用两柬相干激光在HF溶液中的多孔Si(PS)表面上干涉形成光强周期分布,通过光溶解得到了孔隙率周期变化的结构.从而制备出氧化PS周期性波导光栅。实现了辐射模与波导中传输模之间的耦合,并由外部入射光波或衍射光的方向确定了波导层的有效折射率。图3参10(于晓光)

简介：TN2562002042749SOI集成光电子器件=SOI-basedoptoelectronicdevices[刊,中]/魏红振,余金中,张小峰(中科院半导体所集成光电子国家重点实验室.北京(100083)),刘忠立(中科院半导体所微电子中心.北京(100083)),史伟,

简介：采用一种'化学炉'驱动的低温'燃烧'法分别在石英基底和ITO基底上制备出氧化镍薄膜,然后在空气气氛下225℃退火处理2h。利用热重差热分析仪（TG-DTA）、X-射线衍射仪（XRD）、X-射线光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和紫外可见光谱仪对氧化镍薄膜进行表征。以低温法制备的氧化镍作为空穴注入层的太阳能电池器件显示出5.28mAcm-2的短路电流和1.56%的外量子效率。以低温燃烧法制备的氧化镍薄膜基光电器件外量子效率是普通氧化镍薄膜器件的10倍。

简介：~~

简介：TN2996031896光子计数探测的非线性失真及其改进的研究=Nonlineardistortioninphotoncountingandim-provingmethod[刊,中]/谭征(紫金山天文台.江苏,南京)//紫金山天文台台刊.-1995,14(2).-146-158对光子计数探测中堵塞漏计引起的非线性失真现象作了一些新的探讨和分析,提出了一套新的减少漏计的论证。该论证一旦实现,将会大大扩展光子计数探测的线性范围,进一步提高探测的灵敏度、信噪比和精度。图11参5(严寒)TN312.796031897高压超快脉冲电路研制=Generationofhigh

简介：O462.397063905GaAs光电阴极片原子级表面清洁方法的研究及评价=StudiesandevaluationonmethodstoobtainatomicallycleansurfaceofGaAsphotocathode[刊,中]/孙长印,张书明,马秀玲,候洵(中科院西安光机所.陕西,西安(710068))∥光子学报.—1996,25

简介：TN21598063906短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响=Effectofshortwaveultravioletradiationonn—typeHg1-xCdxTedetector[刊,中]/史衍丽,陈铁金,冯文清（昆明物理所.云南,昆明（650223））,吴兴惠（云南大学物理系.云南,昆明（650091））//红外与毫米波学报.—1997,16（6）.—443—447

简介：TN2995010525双光斑交叉目标跟踪方法研究=Aninvestigationontargettrackingforcrosstargetimages[刊,中]/汪国有,张天序,彭嘉雄(华中理工大学图像识别与人工智能研究所)//华中理工大学学报.—1994,22(5).—50—54为了解决交叉目标跟踪中相关系数矩阵的多峰性引起的目标模糊对应问题,提高状态估计的精度,提出了一种通过估计双光斑交叉目标形状参数来辨别目标,进而完成目标状态估计的方法—ODAMCF

简介：O647.31397010543气体吸附对SnO2/Si光电压的影响=EffectofthegasadsorptiononthephotovoltageofSnO2/Si[刊,中]/沈觊华,朱文章,吴孙桃,蔡玉霜（厦门大学.福建,厦门（361005））∥半导体光电.—1996,17

简介：O462.396021313多碱光电阴极的红外响应=Infraredresponseofmultialkaliphotocathode[刊,中]/陈庆佑(无锡湖光仪器厂。江苏,无锡(244035))∥半导体光电。—1995,16(3)。—248—251多碱光电阴极的红外响应,对于改善夜视系统探测目标距离能力是一个重要的研究课题。从理论上阐

简介：摘要：

简介：TN2562005021205一种新型微变形镜键合技术=Bondingprocessforanovelmicro-deformablemirror[刊,中]／余洪斌(华中科技大学光电子工程系．湖北,武汉(430074)),陈海清…//光电工程．-2004,31(8)．-12-14,22对一种新型可变形反射镜加工中的硅-玻璃阳极键合工艺进行了研究。设计了一种通过导线将压焊点引至键合区的特殊结构,使得键合过程中台柱与驱动电极保持等电势,从而有效避免了电极和结构之间的相互作用所引入的缺陷,使得最终获得的驱动电极的有效面积接近100％。

简介：TN2562005010336基于NPS的集成光学型光隔离器的研究=Designandapplicationofaquickfaultdetectionandopticalpathautomaticswitchingsystem[刊,中]／王巍(重庆邮电学院．重庆),兰中文…∥电子测量与仪器学报．-2004,18(1)．-72-77介绍了集成光学型光隔离器的两种构型,着重讨论了基于非互易相移(NPS)的集成光学型光隔离器。对于构成集成光学型光隔离器的关键构件磁光波导的理论基础,

简介：TK513.12004053748相交圆聚光器的计算机优选设计=Optimizeddesignonintersectingcirclepumpedcavities[刊,中]/张国顺(天津大学精密仪器与光电子工程学院,光电信息技术科学教育部重点实验室。天津(300072)),许宝忠…∥光电子·

简介：TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]／王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅／／红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)

简介：摘要：电气自动化可以弥补人工操作的不足，提高实际工作的精确性。电气工程自动化主要是利用电子技术控制产业生产运营，通过系统性的分析和设计产业，提高工作过程的精确性和严谨性，降低工伤事故的发生率，企业利用自动化技术也可以减少资源浪费问题，保障整体生产效益。

简介：摘要:本文研究了光电器件与集成技术在光通信中的应用。首先介绍了光电器件与集成技术的基本概念和分类，然后重点讨论了光电器件与集成技术在光通信系统中的关键应用，包括光放大器、光调制器、光检测器、波分复用器、和光开关等。进一步探讨了光电器件与集成技术在提高光通信系统性能、降低成本和增强可靠性方面的优势和挑战。最后总结了未来光电器件与集成技术在光通信中的发展趋势和研究方向。