简介：<正>与现行的陶瓷和层压模块等封装解决方案相比,专为高集成度RF模块而设计的CSP(chip—scalepackaging,芯片规模封装)封装工艺—Pyxis平台有望使封装的成本、高度和面积分别下降50%、60%和75%。由封装工艺开发商美国的Tessera公司推出的此项技术能够将RF模块与功率放大器、收发器、滤波器以及开关等周边电路结合起来。与传统的9mm×10mm大小的层压式封装相比,Pyxis技术将无源器件以及所需衬

简介：ShellCase公司的圆片级封装技术工艺，采用商用半导体圆片加工设备，把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装（WL—CSP）工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露，并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上，并进行回流焊，圆片分离形成封装器件成品。WL—CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装（CSP），其测量厚度为300μm-700μm，这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。

简介：美国飞思卡尔半导体公司开发出了旨在取代BGA（Ballgridarray，球栅阵列）和倒装法的新型封装技术“RCP（RedistributedchipPackaging，重分布芯片封装）”。与现有的BGA相比，封装尺寸能够缩小约30％，特别适用于小型化。在包括第3代（3G）手机在内的民用产品、工业、车载和网络等设备中，能够将过去独立的多个电子元器件集成在单一封装。首先从集成较高的无线用途开始对RCP进行产品应用。

简介：为了能在下一代风力发电系统中起到重要的作用，我们已经开发出一种新型的600A—1700VIGBT模块。这种模块主要具有以下特点：（1）热阻低，这是通过采用带有针形翅片散热器的无导热硅脂的“直接液体冷却”技术实现的，其中冷却液通过针形翅片的压降以及效率都经过了优化设计；（2）封装尺寸小，这使电源调节器系统小型化成为可能；（3）可靠性高且寿命长，这是通过高强度Si3N4绝缘衬底和新开发的Rot—iS焊接技术来实现的。与采用导热硅脂间接冷却的传统模块相比较，我们发现此IGBT模块的热阻Rj-W降低了35％；与传统模块在相同功率容量下比较时，这种IGBT模块连同冷却液通道的基座（channelcoverjacket）的总重量减轻了大约37％，体积减小了约45％。

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简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

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简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

简介：

简介：在军用电子元器件和民用消费类电路中，电子封装均起着举足轻重的地位。当今社会，电子技术日新月异，集成电路正向着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展，对集成电路的封装技术提出了愈来愈高的要求，使得新的封装形式不断涌现，新的封装技术层出不穷。文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术，主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力，列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。

简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

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简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.

简介：自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

简介：在多层印制板制造成中，层与层之间的对准度产生差有许多原因。一个更带有共同性的问题就是底片尺寸的不准。尽管这些共同性的问题，但人们长期以来并不了解影响尺寸的主要因素和如何进行控制它。所以，要更有意识的控制它的动态变化，关键就是要充分了解底片尺寸变化的原因和底片出现变化的影响因素。

简介：微电子器件的封装密度不断增长，导致其功率密度也相应提高，单位体积发热量也有所增加。为此，文章综述了封装外壳散热技术的基本原理、最新发展及其应用，并简要讨论了封装外壳散热技术的未来发展趋势及面临的挑战