简介：美国市场调查公司“信息网络”（TheInformationNetwork）表示，中国大陆的芯片需求和制造能力之间的差距在未来几年将继续扩大。

简介：本文依据多年现场测试经验积累，再结合专用／通用测试机原理等因素，分析总结出PCB测试出现漏测产生的原因，并作出相应的解决方案，以避免PCB板电测试开断路漏测。

简介：传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIPIPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200VCIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIPCIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。

简介：凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出60V、1MHz、降压型DC／DC转换器LT3597．该器件设计成作为3通道、恒定电流LED驱动器工作。LT3597的每个通道都含有一个吸收恒定电流的LED驱动器和专用的自适应输出降压型转换器。这种设计为RGB显示器等应用提供了最高效率，在这类应用中，每个LED串需要不同的输出电压。在48V输入时．

简介：虽然墓碑现象不是再流焊焊接工艺中最常见的故障，但是由于其特别的外观而引起了人们的极大的注意。墓碑现象看似能自己消除重力，许多人都对此现象感到迷惑不解。虽然在科技文献中有许多各种各样的评价与说明，但能解释得通的微乎其微。我们觉得是查核科技文献的时候了，然后在科学的基础上来解释怎么会出现这种现象，并就怎样避免使我们的实验与测试受到阻碍而添加些意见。我们还要讨论是否是由再流工艺中所用氮气而造成，墓碑现象因为若干实际应用似乎暗示了这一关联。

简介：飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：激光再流焊接技术主要适用于军事和航空航天电子设备中的电路组件的焊接。这些电路组件采用了金属芯和热管式PCB，贴装有QFP和PLCC等多引脚表面组装器件。由于这些器件比其他SMC／SMD的热容量大，采用VPS需增加加热时间，这将导致PCB和表面组装器件出现可靠性问题。波峰焊接和红外再流焊接技术也不适用于这种情形下的焊接，但激光再流焊接技术可快速在焊接部位局部加热而使焊料再流，避免了用上述焊接技术的缺陷。同时，由细间距器件组装的SMC／SMD在成组的再流焊接工艺中常出现大量桥连和开口。特别是随着引脚数目的增加和引脚间距的缩小，引脚的非共面性使这些焊接缺陷显著增加。

简介：气相再流焊（VPS）又名凝热焊接（CondensafionSoldering），现在又流行了。它是八十年代早期的优选工艺，它的衰落主要有两个原因：VPSI艺自身的问题和红外辐射（IR）工艺的进步。VPS的问题主要在于缺陷较多，例如引脚元件的虹吸和片状元件一端立起。以对流为主的红外辐射（IR）系统热效率很高，没有VPS那些与生俱来的问题。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：气相再流焊又称气相焊（VaporPhaseSoldering，VPS）、凝聚焊或冷聚焊，主要用于厚膜集成电路，是组装片式元件和PLCC器件时最理想的焊接工艺。气相再流焊最初是由美国一家电气公司于1973年开发成功的，起初主要用于厚膜集成电路的焊接。由于VPS具有升温速度快和温度均匀恒定的优点，因而被广泛用于一些高难度电子产品的焊接中。但由于在焊接过程中需要大量使用形成气相场的传热介质FC-70，

简介：本文介绍了辽河油田6000V／1800kW注水泵供电变频改造的情况。基中包括变频器设计及制造中的一些技术问题和改造前后注水泵运行情况的对比。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：C＆DTechnologies在其1U高度、冗余、热插拔前端电源D1U系列中又增添了1600W48V输出的产品。D1U-W-1600-48-H采用经验证的拓扑学和高密板载功率结构的技术，最大程度地提高了空间效率，可使输出线的功率密度达到70W／立方英寸。

简介：阐述了冷却速率对无铅再流焊质量影响的研究现状，总结了冷速对无铅钎料以及SMT焊点可靠性的影响。研究现状表明快速冷却有助于减少焊接缺陷，提高焊点可靠性。

简介：介绍了日本等国家用无铅焊锡的发展趋势及无铅焊锡的再流焊工艺与设备。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：本文介绍了四方V560矢量型变频器在吹膜机收卷上的成功应用。