简介：说明：表中“反压”是指最高反向击穿电压；“电流”指最大整流电流；“压降”是指通过最大整流电流时，管子的正向电压降；“频率”是指管子的最高工作频率；“时间”是指反向恢复时间，其参数均为环境温度25℃时测得。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：半导体照明LED及其应用产业化;优化GaN基发光二极管的电极;用于制备硅LED的太阳能电池技术;采用半导制冷的集成大功率LED.

简介：

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简介：[内容摘要 ]：目前带有电流自动细调节能力的大电流电化学整流器主要通过自饱和电抗器配合二极管整流或晶闸管整流实现，低电压的 IGBT大电流整流也开始应用在电镀行业中。本文将我公司广泛使用的自饱和电抗器配合二极管整流和晶闸管整流进行对比，与同行业进行交流。

简介：发光二极管(LED)具有非常广泛的用途,光子晶体(PC)是一种新概念和新材料,采用PC的LED则大大提高了光输出效率,是一种很有发展前途的LED器件,已成为目前国内外研究的热点.本文介绍了PCLED的基本原理、结构、重要特性参数及其典型器件.

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简介：摘要半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用，

简介：摘要整流器的主要组成部分包括二极管、二极管散热器、故障显示器件以及整保护器件等部分，其主要作用是将交流电转化为直流电，以满足地铁车辆用电需要。本文围绕着深圳地铁一期工程中出现的容量相同但设备不同的整流器二极管配置问题展开分析和讨论，对二极管配置的相关计算方法以及整流器的均流均压方法作了进一步研究。

简介：以二极管注射模为例,分析了放镶件注射模设计的重点与难点,介绍了塑件成型工艺、浇注系统和模具结构的设计技巧。

简介：改革开放之初，两位友人分赴日本和英国进修GTO晶闸管在传动中的应用。大约一年后，他们先后给留守国内的笔者来信，言及回国后想大干一场的志向。其中，他们不约而同地希望我帮助在国内寻找GTO应用所需要的配套元器件。在其中，又不约而同地列有“快导通二极管”一项，问我什么是“快导通二极管”?请我向他们解释一下。

简介：美国能源部(DOE)最近向新泽西州的Universal显示器公司(UDC)提供研究资金，以推进有机发光二极管(OLED)的研发。OLED是更为省能的光源，因为与目前使用的具有100多年历史的传统光源相比，OLED伴生的热量较少，而且可以在低得多的电压下工作。DOE提供的数据表明，如果到2025年美国能全部采用固态光源照明，每年节约的能源费用可能超过250亿美元。UDC的一个开发项目是高照度效率的白磷OLED，采用新技术来进一步降低光源的工作电压，其商品名为Pholed。

简介：今发光二极管使用得越来越普遍了,从最近得来的信悉,紫外发光二极管配上荧光粉后,将紫外线转变为可见光,其发光效率可接近100lm/w,真可谓变幻莫测,前途无量.为了使读者在应用发光二极管作二次开发产品时有所帮助,本篇收集了有关发光二极管应用时必须知道的一些资料,如:特性和参数,列出其应用方法,帮助对该产品有一个粗浅的了解,便于入门.

简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。

简介：产品简介：RGB程序二极管灯是在可见光谱范围内经高光电技术产生的一种光源。照明灯罩是由一种特殊的铝面制成，目的是合理地散发热量。灯运用了次光学原理。

简介：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管（FRD）的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD需要配置的硬件条件等。

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。