简介：1．化学镀镍／金发展的背景印制电路板，无论是单面、双面或多层板都是用于电子元器件连接为主的互连件。它是通过自身提供的线路和焊接部位，焊接上各种元器件，例如电阻、电容、半导体集成芯片，集成电路模块之后成为具有一定功能的电子部件。因此，PCB上必须有导通孔，焊垫或连接盘。早先的可焊性镀层是用图形电镀法产生的Sn／Pb抗蚀镀层，经过热熔后供给用户去装配元器件。
简介：介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag／Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。
简介：本文论述了氧化锌压敏电阻器的性能、应用及发展，提出了氧化镜压敏电阻器选用原则，简述了表面安装型氧化锌压敏电阻器的优点和发展趋势。
简介：评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。
化学镀镍/浸金
镍内电极多层陶瓷电容器的进展
氧化锌压敏电阻器的性能及应用
中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
