简介：Al掺杂ZnO（AZO）已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池（ioscs）。在本文中，偶氮结构，光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时，我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示，功率转换效率提高了35.6%，相对于1摩尔/升的设备，由于改善的表面形貌和透过率（300-400纳米）的偶氮缓冲层。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：<正>稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比,半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多,因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著,从而有可能通过尺寸调

简介：一个主要的挑战在GAN型太阳能电池的设计是孔的缺乏与多量子威尔斯电子相比（多量子阱）。我们发现，GaN基量子阱光电器件具有五种不同Mg掺杂浓度的0时，5×1017cm-3，2×1018cm-3，4×1018cm-3和7×1018cm-3的GaN障碍可导致量子威尔斯不同的空穴浓度（量子阱）。然而，当Mg掺杂浓度超过1×1018cm-3，晶体质量下降，从而导致外量子效率的降低（EQE），短路电流和开路电压。作为一个结果，一个轻微的Mg掺杂5×1017cm-3的具有最高的转换效率浓度的样品。

简介：摘要镧系磷酸盐及其掺杂体系在实际生产、生活中有着广泛的应用，研究和改进其性能以及结构以及其宏观性能内在联系，具有重要的意义。同时，随着新的学科分支--计算材料科学不断发展，国内外研究者利用各种计算手段对镧系磷酸盐及其掺杂体系进行探索和研究，并取得了一定的进展和成果。

简介：<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

简介：Dy3＋/Eu3＋共掺杂的立方格子NaYF4单晶在~Φ×1厘米大小为10厘米高质量的改进布里奇曼法用氟化钾（KF）作为助熔剂生长。射线衍射（X射线衍射），吸收光谱，激发光谱和发射光谱测量的晶体的相位和发光性能的晶体。分析了激发波长和Dy3＋和Eu3＋离子浓度对发光特性的影响。NaYF4单晶的掺杂摩尔浓度的1.205%和0.366%的Eu3＋，Dy3＋具有优良的白色发光的色度坐标x=0.321，y=0.332。这表明Dy3＋/Eu3＋共掺的立方格子NaYF4单晶可以潜在的发光材料的紫外（UV）光激发的白光发光二极管（LED）。

简介：srzn2（PO4）2：在大气中的高温固相反应合成Sm3＋荧光粉。srzn2（PO4）2：Sm3＋荧光粉是通过紫外光有效激发（UV）和蓝色光，和发射峰被分配到2-6h54G5//2过渡（563nm），2-6h74G5//2（597nm和605nm）和2-6h94G5//2（644nm和653nm）。对srzn2发射强度（PO4）2：Sm3＋的Sm3＋浓度的影响，其浓度猝灭效应srzn2（PO4）2：钐也观察到。当掺杂离子（=Li，Na和K）离子的发光强度，srzn2（PO4）2：Sm3＋可以明显增强。在国际照明委员会（CIE）的srzn2色坐标（PO4）2：Sm3＋定位在橙红色的区域。结果表明，该荧光粉具有潜在的应用在白光发光二极管（LED）。