简介：为了贯彻落实“国务院关于大力发展职业教育的决定”和国家信息产业部关于“加快电子信息高技能人才的培养步伐，在电子信息产业全面推行国家职业资格证书制度”的指示。

简介：今年以来，铜陵经济技术开发区发挥区位优势、政策优势、人力资源优势和产业优势，着力打造PCB产业园，PCB产业园各项建设高效推进。

简介：本文介绍了电力电子技术在新时期中对科技进步和经济建设中将发挥越来越重要的作用。常见新能源领域和涉及到的常用工程。还重点介绍了电力电子技术在新能源领域的应用，进而阐述了电力电子技术发展的前景。

简介：经李克强总理签批,国务院日前印发《上海系统推进全面创新改革试验加快建设具有全球影响力的科技创新中心方案》（以下简称《方案》）。《方案》着眼当前和长远,提出了分阶段的改革发展目标：到2020年,形成具有全球影响力的科技创新中心的基本框架体系。到2030年,着力形成具有全球影响力的科技创新中心的核心功能。

简介：英飞凌科技于9月23日宣布其中国发展策略又向前推进一大步，英飞凌科技(苏州)有限公司的苏州封测厂正式落成。新厂于2003年10月开始建设，首批存储器产品将于2004年底走下后端生产线，批量生产计划将于2005年初开始。

简介：物联网，作为当今最炙手可热的时代发展的关键词已经逐步应用于我们的生活。据预测，物联网将作为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮改变我们的生活方式。

简介：我国大型装备制造排头兵企业——中国第一重型机械集团公司（以下简称中国一重）加快推进世界最大铸锻钢生产基地建设，目前，已完成了全部工程量的80％，总计投入40亿元，并已开始承担国家一些重点工程的大型铸锻件任务。

简介：

简介：日前，国务院黄菊副总理在全国再就业工作表彰大会上指出，劳动力素质与岗位需求不适应的结构性矛盾进一步突出，技工尤其是高级技工严重短缺。

简介：国家发改委近日发布消息称,目前,全国31个省区市和新疆生产建设兵团“一带一路”建设实施方案衔接工作已基本完成,正陆续出台。根据方案,各地将在能源资源合作等多个领域推动重点工作和重大合作项目。《推动共建丝绸之路经济带和21世纪海上丝绸之路的愿景与行动》发布以来,国家发展改革委会同外交部、商务部等积极指导、支持和配合地方有序有效开展相关工作,统筹做好地方实施方案衔接。

简介：在没有硝烟的“存量市场”上，每一点份额都是企业的已定版图之内，如何在这里精耕细作，以服务提升附加值，在“工业4．0”“互联网＋”“智能化”“大数据”这些新趋势下为客户带来新的增益？已然成为每个企业市场争夺战的必争之地。

简介：5月11日，“第十届深圳知名品牌颁奖典礼暨十年品牌建设高端论坛”在深圳广电集团演播大厅降重举行。深圳市阿尔法变频技术有限公司作为第十届“深圳知名品牌”的获得者之一，受邀出席本次典礼开上台领奖。

简介：同志们：今天，我们召开全国职业技能鉴定工作视频会，会议的任务是：贯彻落实全国人才工作会精神和《国家中长期人才发展规划纲要（2010—2020年）》，总结职业技能鉴定工作总体情况，科学分析和把握当前及今后一个时期鉴定工作所面临的新形势、新问题，进一步明确鉴定工作的方向、任务和要求，推动职业技能鉴定事业实现新发展。

简介：为了提高产品热处理炉的炉温均匀性和稳定性控制性能,通常要按照炉温均匀性的检测方法与标准对热处理炉的炉温均匀程度进行测定和记录。为此,文中给出了以DSP为基础,并通过具有时间标签的温度监控记录仪来对炉温进行测量与记录的实现方法。通过该方法还可将具体的检测数据记录在FLASH闪存中以备后用。

简介：FPGA既具有门阵列的高逻辑密度和高可靠性，又具有可编程逻辑器件的用户可编程性，可以减少系统的设计和维护风险，降低产品成本，缩短设计周期。文中给出了利用FPGA设计汉明距离的计算电路，同时给出与通过有效的芯片资源配置，恰当地选择存储器的总容量与加法器总数，来使整个系统的资源利用率达到最佳的实现方法。

简介：本文试析采用SMT的产品拓产的四种途径。

简介：本文阐述了BGA、CSP等隐藏在封装器件下面的焊点的检测设备和检测方法。

简介：为了设计基于Si8250的数字电源补偿器，本文采用该芯片专有的GUI图形仿真软件，对功率级主电路的开环模型进行了仿真，生成了幅频和相频特性曲线。结合Venable补偿理论与GUI中的控制环路模型及图形化补偿方式，设计了精确的数字PID补偿器。试验表明，通过GUI设计的数字补偿器具有很好的环路动态特性和稳定性。

简介：本文介绍了一种基于FPGA的双输入单输出模糊控制器的简化设计，并根据控制器的要求利用超高速集成电路硬件描述语言VIID（VeryHighSpeedIntegratedCircuitHardwareDescriptionLanguage）设计了加法器、减法器等运算器。整个设计过程采用自定向下的设计方法，并在MAXPLUSⅡ10．2环境下通过编译和仿真。

简介：最近由于降低了导通和开关损耗，PTIGBT的性能已在200～300V的额定范围超越了功率MOS管。本文比较了300V的IGBT和300V的功率MOS的所有性能。IGBT的电导调制使导通电压大幅度减少，总的开关损耗几乎与MOS一样。由于有效地控制了少子寿命，这些PTIGBT适于高频电源的应用。硬开关电路的测试表明，300V的IGBT比功率MOS的成本低，性能更好。