简介：本文对基于平行排列3×3耦合器的光纤器件进行了研究.平行排列3×3耦合器不仅可以实现双端口光开关、全光缓存器、光纤谐振腔等器件,而且可以用作可调耦合比的耦合器.由于平行排列3×3耦合器的弱耦合特性和平行排列结构,使得基于平行排列3×3耦合器的光器件具有许多独特的特点.更重要的是,由于这种耦合器的平行排列结构,使得它很容易做成平板波导结构,形成各种集成光器件.

简介：在光电子器件封装工艺中,光器件的对准是个关键问题,它直接关系到光电子器件的性能和实用化.本文叙述了光电子器件封装中的有源对准技术、无源对准技术、自对准技术和自动化的对准封装技术.

简介：描述了一种微带功分耦合器,它是收发（T/R）组件中的重要组成部分,起着监测和校准的作用。项目设计要求的工作频段在9.3GHz～9.8GHz,端口驻波应小于1.2,两臂间隔离度大于25dB,两个定向耦合器的耦合度C=30dB,定向性D=15dB～20dB。常规微带耦合器的定向性比带状线耦合器的定向性差,有多种方法可以改善微带耦合器的定向性。设计的功分耦合器利用一个普通的Wilkinson功分器和两臂两个微带耦合线组成,分析1/4波长微带耦合器接补偿电容提出了一种高定向性功分耦合器的设计方法,通过仿真验证其能够满足项目要求。

简介：随着光纤通信的迅速发展和日益普及,对耦合器的需求量与日俱增.本文从线性和非线性两个方面对耦合器的类型和特点进行了介绍.在线性部分对宽带耦合器作了较详细的分析.

简介：分析了以往保偏光纤耦合器封装工艺存在的一些技术缺陷,以及在试验过程中这些缺陷对保偏光纤耦合器造成的不良影响.针对存在的问题,提出了一种新的高稳定性的材料——低温玻璃封装用于耦合器的封装,经过一系列实验（工作温度,高温寿命,交变湿热,温度冲击）,并对实验结果分析,新的封装基本达到预期目标.

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：本文从有关环境工程、绿色工程的概念出发,介绍了"绿色"电子元器件生产的发展历程,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.

简介：<正>日前,欧洲半导体分销和制造协会DMASS表示,2004年第二季度欧洲电子元器件分销总值为12.2亿欧元,比上年同期增长18.8%,比第一季度增长1%。在四个规模较大的市场中,法国增长速度最快,增长率为21.8%,德国为17.2%,意大利为12.3%,以及英国为6.9%。从产品类型上看,存储器产品独领风骚,在2004年第二季度涨幅达到50%

简介：

简介：去年投资下降较为严重的电子元器件行业，今年以来已呈现出恢复性增长。

简介：本文介绍了在非常紧凑的短脚电子元件间隙内,利用水清洗技术来实施有效清洗操作的经验.

简介：摘要电子元器件是电子设备和系统的基础，它的可靠性会对电子设备工作效能的有效发挥产生直接的影响。随着电子元器件的类型和数量的增加，如何提升其可靠性检测和筛选是首要问题。本文对电子元器件的准确检测和筛选做了简要分析。

简介：本文介绍了超临界流体及其特性、超临界流体清洗工艺及特点.结合现有的研究结果,论述了在微电子加工中应用超临界流体的可行性和有效性.并以硅片的清洗和干燥为例,说明了超临界CO2的应用优势,指出了超临界流体在微电子技术中尚需要解决的技术问题及其广阔的应用前景.

简介：进入2018年，部分Si基GaN电力电子器件获得JEDEC和AEC—Q101认证，产品可靠性正在获得认可。同时，8英寸Si基GaN外延和器件加工技术不断取得突破，未来技术成熟后将进一步降低产品成本。在可靠性提升和成本降低等因素促进下，Si基GaN电力电子器件将迎来快速发展阶段。

简介：<正>英国曼彻斯特大学的科学家发现,含有白色石墨烯的三明治结构石墨烯有望用于制造高频电子器件。由诺贝尔奖获得者曼彻斯特大学的诺沃肖洛夫领导的研究团队已证实,通过将二维材料堆叠组合,可产生用于下一代晶体管的完美晶体结果。该研究成果发表于自然纳米杂志上。该研究的合作方包括英国兰开斯特和诺丁汉大学的科学家,以及俄罗斯、韩国和日本的科研人员。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：提高紧耦合天线的隔离度是雷达、通信和电子对抗等许多领域中提升系统性能的技术之一,目前的方法大多以牺牲天线辐射效率为代价。研究了一种基于反相耦合相消理念的去耦方法,可以在极小间距情况下实现天线单元之间的高隔离度,并且保持较高的天线增益。利用一种微带双天线结构来验证这一方法,这种结构的两个天线都工作于1.8GHz,相互间的间隔为10mm（1/16波长）,仿真和实验结果说明,两个天线间的隔离可以低于-20dB。经仿真结果显示该结构中的天线增益要大于0dB,与不经隔离设计时的同结构同尺寸天线差别约1dB。初步实现了在较小地影响辐射性能的前提下实现紧耦合天线之间的高隔离目标。

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：纳米技术和光电子技术是一门新兴的技术,近年来,越来越受到世界各国的重视.本文主要介绍纳米光电子学的基本概念,发展模式,纳米光电子器件的最新进展和发展趋势.

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-